国家/地区 韩国（120）
IPC部 B（120）
IPC大类 B01（120） C01（120） H01（32）
C23（22） B82（20） H05（6）
B05（4） C25（4） G03（4）
B32（3） C09（3） G01（3）
B41（2） C04（2） C07（2）
IPC小类 B01J（120）
IPC B01J019/08（120）
发明人 CHOI I S（8） LEE K J（8） BYUNG Y S（6）
NAG E C（6） CHOI S Y（5） HAN Y J（5）
HYOUNG S S（5） JUNG H L（5） KIL S C（5）
AHN S（4） JUNG H（4） JUNG M（4）
KIM J（4） LEE H S（4） MOON J（4）
公开年 2017（22） 2013（16） 2014（13） 2021（13） 2022（12） 2012（11） 2015（11） 2016（9） 2010（4） 2023（3） 2011（2） 2018（2） 2020（2）
申请年 2016（20）  2011（15）  2012（14）  2015（13）  2020（13）  2013（12）  2021（9）  2010（8）  2014（6）  2019（5）  2022（3） 
专利权人 KOREA ADVANC.（7） KOREA INST S.（6） TOSHIBA SAMS.（6） HANWHA TECHW.（5）
KOREA ADV IN.（5） SNU R DB FO.（5） LG ELECTRONI.（4） LOCKHEED MAR.（4）
SAMSUNG ELEC.（4） UNIV CHONNAM.（4） UNIV SEOUL N.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
ALLIED RAY T.（3） CHEORWON PLA.（3） HANWHA AEROS.（3） KOLON IND IN.（3）
KOREA ATOMIC.（3） UNIV GACHON .（3） UNIV YEUNGNA.（3） ELEMENT CO L.（2）

Manufacturing graphene composite structure by forming support body having observation unit corresponding to observation area and frame unit, and forming hydrophilic protective layer on upper surface of graphene layer by applying energy to graphene layer onto which organic component is transferred.

CHO S M, CHO M G, OH H G, CHO M, OHHONGGI

Manufacturing graphene oxide thin film comprises preparing graphene oxide suspension by diluting graphene oxide in solvent, preheating graphene oxide suspension, coating graphene oxide suspension and oxygen plasma treating.

KIM T H, KIMCHERHUE

Manufacturing crystalline graphene oxide comprises preparing powdery carbon structure through hydrothermal synthesis, dispersing in solvent, and preparing crystalline graphene oxide by irradiating light to dispersed carbon structure.

LEE J

Method for forming graphene nanoholes to form nonoholes in graphene sheet used in separators for e.g. electric vehicle batteries, involves heating graphene sheet having functional group-bonded region to remove functional group-bonded region to form nanoholes.

LEE G, JI E, LEE G H, BUILT, JI E J

Continuous mass production of graphene using thermal plasma comprises, generating plasma by injecting, injecting expandable graphite and intercalation graphite, exfoliating graphene by expanding expanded graphite, and drying by hot air.

KYOUNGJEONGBAE, HWAN B J, CHOI S

Performing low-temperature direct growth method of multilayer graphene for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming etch stopper on substrate, and forming seed layer on etch stopper, where seed layer is selected from boron nitride, or boron carbon nitride.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Producing graphene nanocomposite powder comprises charging metal wire into mixed solution in which graphene oxide is dispersed, and applying energy to metal wire charged in mixed solution to electrically explode metal wire.

HWANG J Y, AHN S, YANG C M, NAM J, GI L W, YU S

Manufacturing graphene wrinkles using three-dimensional structure patterning process comprises etching transition metal thin film to form three-dimensional pattern and inserting into chemical vapor deposition chamber to synthesize graphene.

KIM J, WIMALANANDA M D S, LEE J M

Preparing graphene-carbon nanotube composite by controlling shape of graphene oxide (GO) by mixing surfactant and GO, reducing shape-controlled GO, modifying surface of reduced GO and surface of carbon nanotube and mixing surface-modified reduced GO and surface-modified carbon nanotube.

KIM G S, CHOI H K