国家/地区 中国（76）
IPC部 B（76）
IPC大类 B82（76） C01（76） H01（31）
B32（15） C08（13） C23（12）
B01（10） D01（9） B05（8）
C07（8） C09（8） C03（5）
B81（4） C04（4） C25（4）
IPC小类 B82B（76）
IPC B82B003/00（76）
发明人 FAN S（7） JIANG K（7） LIN X（6）
FENG X（4） LIU P（4） MUELLEN K（4）
ZHANG L（4） AKSAY I（3） AKSAY I A（3）
KIM H（3） MULLEN K（3） ZHANG H（3）
ADAMSON D（2） ADAMSON D H（2） CAI J（2）
公开年 2011（14） 2012（11） 2015（11） 2013（10） 2010（5） 2014（5） 2016（5） 2009（4） 2008（3） 2017（3）
申请年 2011（12）  2012（10）  2014（10）  2009（9）  2010（9）  2015（7）  2013（6）  2007（4）  2008（2） 
专利权人 HON HAI PREC.（7） HONGFUJIN PR.（7） UNIV TSINGHU.（7） BASF SE（4）
MAX PLANCK G.（4） FAN S（3） JIANG K（3） LIN X（3）
LIU P（3） UNIV PRINCET.（3） BASF CHINA C.（2） EMPA EIDGENO.（2）
GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2） NAT CENT NAN.（2）
UNIV CHINA E.（2） UNIV MANCHES.（2） UNIV RICE WI.（2） UNIV RICE WI.（2）

Method for preparing micro-nano composite of graphene quantum dot array, involves removing mask glue, annealing to remove residual glue, and etching to remove surface sacrificial layer to obtain final graphene array structure.

ZHAO Q, YANG Z, CHEN R, PENG F, YAN Z, CHANG Z, HUANG X

Method for ultra-fast growth of graphene comprises e.g. subjecting substrate material to carbonization treatment to form carbon- or metal carbon- layer on surface, quenching carbonized substrate material by heating and immediately cooling.

XU J, ZHAO Y, LIANG J, GE Y, WANG L, YANG Y

Silicon-based graphene nanoconvex structure comprises substrate comprising single crystal silicon lower layer and silicon dioxide upper layer with granular protrusions, and graphene covered on substrate.

FAN N, PENG B, GUO J, LIU C, WANG Q

Production device used for producing carbon nano material e.g. graphene nano material, has carbon nano control device that is arranged on carbon nano-vacuum device such that carbon nano-vacuum device is controlled.

HO T, HO T K, HE Z

Method for forming e.g. drain contacts for e.g. graphene FET, involves forming grown-in graphitic interface layer at interface between source and graphene surface source contacts and drain contact and graphene surface drain contact.

COLOMBO L, VENUGOPAL A

Manufacturing method for nano structure antireflection film, involves forming antireflection film using graphene as growth substrate, after forming hexagonal graphene honeycomb lattice on silicon dioxide layer.

ZHA G

Composite structure of graphene and carbon nanotube configured in a three-dimensional form used in electrodes, comprises graphene platelets, metal particles coated on graphene platelets, and carbon nanotubes formed on metal particles.

WU M Y, HSIEH C, PENG C, WU Y, XIE C, HSIEH C Y, PENG C S

Forming graphene structure, comprises forming body with protrusion and forming graphene layer at protrusion outer peripheral surface, or forming cylindrical opening in body and forming graphene layer at inner peripheral surface of opening.

IRSIGLER P, RUHL G, SCHULZE H, SHULZ H, RUHR G, ILSGLLE P

Manufacture of graphene oxide involves contacting one end face of carbon-based three-dimensional material electrode(s) in parallel with electrolyte solution, electrolyzing, electrochemically-oxidizing, and cutting graphite sheet layers.

XU H, ZHOU Q

Graphene-supported nano iron oxide/zinc oxide composite material comprises graphene as carrier, and nano iron oxide/zinc oxide provided on surface of graphene, or attached to graphene nanosheet to form wrapping structure.

MENG Y, WANG J, WU H, GENG X, HOU L