国家/地区 日本（174）
IPC部 C（174）
IPC大类 C01（174） H01（171） B82（64）
C23（29） B01（26） C09（24）
C08（20） H05（17） B32（13）
C04（11） C07（10） C25（10）
G01（9） C30（7） B05（5）
IPC小类 C01B（174）
IPC C01B032/182（174）
发明人 TAMAKI E（13） KUBOTA Y（6） SAKAI T（6）
SATO S（6） TODOROKI H（6） YONEDA Y（6）
KAWASAKI M（5） MITSUHASHI F（5） MIYAZAKI H（5）
OGUNI T（5） SUN P（5） TATENO Y（5）
TODORIKI H（5） WU Z（5） YAMAGUCHI J（5）
公开年 2015（39） 2017（39） 2021（17） 2014（14） 2016（13） 2013（12） 2018（11） 2022（11） 2012（7） 2020（5） 2011（3） 2019（2）
申请年 2015（31）  2016（28）  2014（24）  2013（23）  2017（14）  2020（13）  2021（11）  2012（9）  2019（7）  2011（5）  2018（4）  2022（3）  2010（2） 
专利权人 SEMICONDUCTO.（16） FUJITSU LTD（14） TORAY IND IN.（14） TOSHIBA KK（9）
NAT INST ADV.（8） TOKYO ELECTR.（6） UNIV CALIFOR.（6） SUMITOMO ELE.（5）
SAMSUNG ELEC.（4） TORAY ADVANC.（4） UNIV MANCHES.（4） UNIV TOHOKU（4）
BASF SE（3） DOKURITSU GY.（3） GRAPHENE PLA.（3） LG CHEM CO L.（3）
LG CHEM LTD（3） MAX PLANCK G.（3） TODORIKI H（3） UNIV RICE WI.（3）

Producing graphene material used in graphene electrode for electric double layer capacitor, by preparing graphene oxide, heat-treating graphene oxide, dispersing heat-treated graphene oxide in dispersion medium, and hydrothermally treating thermally reduced graphene oxide dispersion.

JIE T, SHIQI L, KUN Z, YUKINORI H, YORISHIGE M, TANG J, LIN S Q, ZHANG K, HATO Y, MATSUBA Y

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Graphene nanoribbon used as channel for electronic device e.g. top gate-type field effect transistor and thin film transistor, is fused cyclic compound.

YAMAGUCHI J, HAYASHI H, YAMADA Y

Precursor used for forming graphene nanoribbon for electronic device, comprises 10-heptacyclo triaconta-tetradecaenyl heptacyclo triaconta-pentadecaene compound.

YAMAGUCHI J

Weakly coupled enhanced graphene film for use in graphene photoelectric device, comprises an enhanced graphene structure based on weak coupling, where the enhanced graphene structure based on weak coupling comprises many graphene units stacked vertically; the graphene unit is a single graphene sheet.

LIU Y, FANG W, LI L, PENG L, GAO C, GOO C, FENG L, WEE D

Transistor comprises source electrode, drain electrode, gate electrode whose gate length direction is direction from source electrode to drain electrode, insulating base portion having surface, graphene film arranged on surface, and strip-shaped shape extending in gate width direction.

MITSUHASHI F, TATENO Y, ADACHI M, YAMAMOTO Y

Graphene used in electrode for secondary battery for electronic device for vehicle, has pores comprising 9C or more membered rings.

YAMAZAKI S, KURIKI K, NAKAO T, OCHIAI T

Graphene nanoribbon used as channel for e.g. semiconductor device, is 2,12-bis(anthracen-9-yl)-6,16-dithiapentacycloicosa-1,3,5(9),7,10,12,14,17,19-nonaene-based compound or 2,12-bis(anthracen-9-yl)-6,18-dithiapentacycloicosa-1,3,5(9),7,10,12,14,16,19-nonaene-based compound.

OTOMO M, SATO S, HAYASHI H, YAMADA Y

Graphene dispersion used for lithium-ion battery positive electrode, contains graphene, (meth) acrylic polymer having hydroxy group, and dispersion medium.

KATO T, TAKEUCHI T, KATASE I, TAMAKI E