国家/地区 日本（295）
IPC部 C（295） B（174） H（174）
G（25） A（18） D（9）
F（6）
IPC大类 C01（295） H01（171） B82（104）
B01（61） C08（47） C09（44）
C23（44） B32（23） C07（20）
C04（17） G01（17） H05（17）
C25（14） C30（14） A61（11）
IPC小类 C01B（295）
IPC C01B032/182（295）
发明人 TAMAKI E（13） YAMAGUCHI J（7） KUBOTA Y（6）
SAKAI T（6） SATO S（6） TODOROKI H（6）
TOUR J M（6） YONEDA Y（6） AIDA H（5）
AOTA N（5） JANG B Z（5） KAWASAKI M（5）
KWON W（5） KWON W J（5） LEE J（5）
公开年 2017（69） 2015（58） 2016（34） 2021（31） 2014（28） 2018（17） 2022（17） 2013（15） 2012（9） 2020（7） 2011（5） 2019（2） 2023（2）
申请年 2015（61）  2016（48）  2014（44）  2013（34）  2017（24）  2020（22）  2021（20）  2012（13）  2019（9）  2011（7）  2018（5）  2022（5）  2010（3） 
专利权人 FUJITSU LTD（17） SEMICONDUCTO.（16） TORAY IND IN.（14） TOSHIBA KK（11）
NAT INST ADV.（9） TOKYO ELECTR.（7） LG CHEM LTD（6） UNIV CALIFOR.（6）
UNIV MANCHES.（6） UNIV RICE WI.（6） UNIV RICE WI.（6） BASF SE（5）
LG CHEM CO L.（5） NAMIKI SEIMI.（5） SUMITOMO ELE.（5） CARBON NANO .（4）
GARMOR INC（4） GRAPHENE PLA.（4） JANG B Z（4） JINAN SHENGQ.（4）

Infrared radiation device used for cosmetics, comprises infrared radiation structure containing nanocarbon material in finely dispersed state in ceramics and having preset infrared ray radiation rate.

KAWAHITO M, ONODA S, KOMATSUYAMA S

Producing graphene material used in graphene electrode for electric double layer capacitor, by preparing graphene oxide, heat-treating graphene oxide, dispersing heat-treated graphene oxide in dispersion medium, and hydrothermally treating thermally reduced graphene oxide dispersion.

JIE T, SHIQI L, KUN Z, YUKINORI H, YORISHIGE M, TANG J, LIN S Q, ZHANG K, HATO Y, MATSUBA Y

Graphene material used in substrate for sustained release of non-aqueous component, having specific total porosity and open porosity.

MURAMATSU K, TAKAHASHI K, IWATA H, SUTANI K, YABUMOTO H, IWATA E

Graphene element used as field effect transistor having top gate structure, comprises boron nitride layer having turbostratic structure, and graphene layer in contact with boron nitride layer.

KONDO O

Material used for forming light-control film, comprises graphene-like carbon material which is surface modified by functional groups, having preset ratio of height of peak derived from functional group and height of reference peak derived from carbon hexagonal network surface of carbon material.

FUKUI H, HAINO T, SEKIYA R

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Graphene nanoribbon used as channel for electronic device e.g. top gate-type field effect transistor and thin film transistor, is fused cyclic compound.

YAMAGUCHI J, HAYASHI H, YAMADA Y

New graphene nanoribbon used for semiconductor, solar cell, transparent electrode, high-speed transistor and organic electroluminescent device.

ITAMI K, ITO H, MATSUSHIMA K, NAKATSUJI H, UENO R, ISHIDA S, OKUDA S

Precursor used for forming graphene nanoribbon for electronic device, comprises 10-heptacyclo triaconta-tetradecaenyl heptacyclo triaconta-pentadecaene compound.

YAMAGUCHI J

Weakly coupled enhanced graphene film for use in graphene photoelectric device, comprises an enhanced graphene structure based on weak coupling, where the enhanced graphene structure based on weak coupling comprises many graphene units stacked vertically; the graphene unit is a single graphene sheet.

LIU Y, FANG W, LI L, PENG L, GAO C, GOO C, FENG L, WEE D