国家/地区 中国（49） 美国（23） 世界知识产权组织（18） 韩国（14） 欧洲专利局（EPO）（13） 日本（9） 台湾（5） 法国（3） 波兰（3） 俄罗斯（3） 英国（2） 印度（2） 墨西哥（2）
IPC部 C（68）
IPC大类 C01（68） H01（21） B82（16）
C30（14） C23（12） B32（5）
B01（3） G01（3） B81（2）
C03（2） C04（2） C09（2）
G02（2） G03（2）
IPC小类 C01B（68）
IPC C01B032/188（68）
发明人 LIU X（10） WEI X（7） WEI Z（7）
LI Y（5） ZHANG Y（4） LIU Y（3）
SHIN H（3） SHIN H J（3） WANG Y（3）
ZHANG L（3） BYUN K（2） BYUN K E（2）
CHEN J（2） CHEN Z（2） CHENG X（2）
公开年 2018（17） 2017（11） 2021（9） 2020（7） 2022（7） 2011（4） 2012（3） 2015（3） 2023（3） 2016（2）
申请年 2017（22）  2020（13）  2022（7）  2019（5）  2016（4）  2011（3）  2012（3）  2015（3）  2009（2）  2018（2）  2021（2） 
专利权人 CHENGDU GELA.（7） SAMSUNG ELEC.（3） 55TH RES INS.（2） BEIJING HUAJ.（2）
COMMISSARIAT.（2） GUARDIAN GLA.（2） GUARDIAN IND（2） GUARDIAN IND.（2）
HON HAI PREC.（2） SHANGHAI INS.（2） UNIV JAGIELL.（2） UNIV SHANDON.（2）
UNIV SUNGKYU.（2） UNIV TSINGHU.（2） UNIV XIAN JI.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Preparing in-situ self-generating germanium tungsten carbide synergistic reinforced tungsten copper composite material, involves mixing copper powder, micro-activating element and alcohol, pressing, calcining porous tungsten skeleton and performing infiltration sintering porous tungsten skeleton.

LIANG S, XIAO P, ZOU J, YANG B, DENG N, CHEN Z, YANG J, ZHANG Q

Manufacture of wiring used in electronic device, involves growing graphene layer on substrate using plasma of hydrocarbon at specific temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition, and doping graphene layer with metal.

LEE C, LEE M, SHIN H, BYUN K, KIM K, SHIN K, SHIN K W, KIM K B, BYUN K E, SHIN H J, HYUN L, LEE C S

Preparing in-situ heteroepitaxial graphene-coated silicon material useful in lithium-ion battery, comprises e.g. removing magnetic impurities in silicon raw material, drying, sand milling, reacting with fluorocarbon radicals, spray drying, low heating and carrying in-situ heterogeneous epitaxy.

ZHOU S, SHEN J, CHEN M, LUO X, HOU Q, ZHANG X

Repairing layers of laminate stack or printed circuit board, comprises providing layered structure, identifying fault location in outer graphene layer, preparing surface of outer graphene layer, and applying localized heat on fault location.

MENTOVICH E, ATIAS B, NAVEH D, LEVI A, SMOLINSKY E Z B

Preparation of graphene array, by coating boron trioxide on surface of silicon carbide foam, annealing to obtain substrate, pyrolyzing epitaxial graphene on substrate, subjecting to physical gas phase transmission treatment, and peeling off surface of foam with graphene array on surface.

WEI G, LI L, SU Y, ZENG J, DING L

Growing furnace for graphene production and processing, has lower part of front end of refrigerating box is fixedly connected with refrigerating mechanism.

YANG K, CHEN W

Preparation of graphene involves growing graphene film on growth substrate, setting viscose layer on surface of graphene film, removing growth substrate and using water or cleaning organic solvent, and etching away from surface film.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Preparing graphene nanoribbon composite structure, comprises e.g. providing substrate comprising protrusions arranged at intervals, growing graphene film on growth substrate, and setting adhesive layer on surface of graphene film.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Growing coherent nanowhiskers coated with two-dimensional monolayers on surface of coherent nanowhiskers, comprises growing graphene layers on outer and inner surfaces of whiskers in crystallization zone, and blowing with inert gas.

MAKSIMOVSKY S N