国家/地区 美国（40） 韩国（35） 中国（33） 世界知识产权组织（22） 日本（17） 欧洲专利局（EPO）（13） 台湾（5） 澳大利亚（3） 加拿大（3） 新加坡（3） 巴西（2） 墨西哥（2） 波兰（2）
IPC部 C（80）
IPC大类 C01（80）
IPC小类 C01B（80）
IPC C23C016/26（54） C01B031/04（45） C01B032/186（20）
C01B032/182（17） C23C016/02（11） C23C016/455（10）
H01L021/02（10） H01L029/16（10） B82Y030/00（9）
C01B032/184（9） C01B032/194（9） C23C014/18（9）
C23C016/01（9） B82Y040/00（8） C01B032/15（8）
发明人 LEE Y T（9） AIDA H（5） AOTA N（5）
LIU X（4） BEDWORTH P V（3） SHI H（3）
SINTON S W（3） BABUL T（2） BARANOWSKI M（2）
GAO X（2） GUO H（2） HEISE S E（2）
JIANG H（2） JIANG W（2） JONCZYK S（2）
公开年 2017（44） 2016（27） 2018（8）
申请年 2016（80）
专利权人 LEE Y T（9） NAMIKI SEIMI.（5） CHINESE ACAD.（3） CORNING INC（3）
KOREA INST S.（3） LOCKHEED MAR.（3） SAMSUNG ELEC.（3） CHARMTRON CO.（2）
SHANGHAI INS.（2） TOKYO ELECTR.（2） UNIV CALIFOR.（2） UNIV DONGHUA（2）
ZHENJIANG BR.（2）

Producing carbon structures containing graphene on surface of spatially shaped metal elements made of copper or its alloys, in chemically active gas working atmosphere containing inert shielding gas, by soaking materials in sealed retort.

BABUL T, OBUCHOWICZ Z, JONCZYK S, BARANOWSKI M, KONDEJ A

Producing graphene fiber composite useful in electronic device and electric wire, comprises e.g. performing chemical vapor deposition process to synthesize graphene layer on metal catalyst, and etching metal catalyst from graphene layer.

BAE S, KIM S J, RHO H K, LEE S K, KIM T W, LEE D S, LEE S H

Preparation of graphene involves forming metal catalyst film on surface of amorphous carbon film, vacuumizing, placing sample of silicon/amorphous carbon/metal catalyst, heat-preserving and air-cooling.

WANG A, LIU P, ZHANG D, GUO T, LI H, KE P

Large area graphene growth apparatus has second heater that is installed at lower portion of chamber, and second heater driving unit is configured to adjust position of second heater with respect to chamber.

GI C K, CHEOL K G

Method of making a pellicle for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography system, by depositing graphene layer over first material layer, and depositing amorphous silicon layer over graphene layer.

TU C, CHEN C, YOO C S, CHANG J, TSAI C, LIU P, LEE H, LIN C, LIN Y, TU Z, CHEN J, CAI J, YOU Q, ZHANG Z, LIN Z, LIU B, LI X, YOO C

Producing thin film graphene oxide-bonded metal foil current collector for battery or supercapacitor, comprises preparing graphene oxide gel, dispensing and depositing layer of gel onto primary surfaces of foil, removing and heat treating.

ZHAMU A, LIN Y, JANG B Z

Producing graphene structure useful for transistor and photo detectors, comprises e.g. forming an aluminum pattern on a substrate, forming a graphene layer on substrate and aluminum pattern, and depositing a metal layer on graphene layer.

DONG J L, JONG C Y

Preparation of large size graphene glass involves cleaning large size quartz glass, putting in high temperature tubular furnace, pumping reaction chamber, introducing argon gas and hydrogen gas, and reducing temperature to room temperature.

LIU Z, CHEN X, ZHANG Y

Spacecraft structure i.e. satellite, has exhaust source points whose portion is directed such that outflow from exhaust source points partially impacts functional component, and graphene coating comprising set of graphene flakes.

KHAYMS V, SINTON S W, BEDWORTH P V

Manufacture of porous graphene layer used for e.g. textile industries, involves carrying out chemical vapor deposition of carbon source on catalytically active substrate which catalyzes graphene formation, and forming graphene.

PARK H G, HEIGHT M, CHOI K, PARK H