国家/地区 中国（384） 美国（177） 世界知识产权组织（138） 韩国（137） 日本（123） 欧洲专利局（EPO）（63） 台湾（31） 德国（10） 西班牙（9） 加拿大（8） 印度（6） 俄罗斯（6） 新加坡（6） 英国（3） 香港（3） 澳大利亚（2） 巴西（2） 以色列（2） 墨西哥（2） 南非（2）
IPC部 C（582）
IPC大类 C01（582） B82（211） H01（175）
C23（82） B01（78） B32（63）
C08（31） C09（21） B05（20）
C30（18） C25（14） H05（12）
C07（11） C03（8） C04（8）
IPC小类 C01B（582）
IPC C01B031/04（416） C01B031/02（243） B82Y040/00（167）
B82Y030/00（131） C23C016/26（60） H01B001/04（41）
C01B031/00（38） B82B003/00（32） H01L021/02（26）
B32B009/00（25） H01M004/583（20） H01B013/00（17）
H01L029/16（16） H01M004/36（16） B01J019/08（15）
发明人 WANG Y（36） ZHANG Y（34） ZHOU M（33）
GUO H（23） ZHANG K（22） LEI T（20）
LI Y（18） DENG P（17） ZHANG F（13）
WANG H（11） WANG L（11） LIU L（10）
CHOI J（9） WANG Z（9） WON D K（9）
公开年 2012（582）
申请年 2012（265）  2011（240）  2010（77） 
专利权人 HAIYANGWANG .（25） UNIV XIDIAN（23） OCEANS KING .（22） SAMSUNG ELEC.（14）
SAMSUNG TECH.（14） UNIV TSINGHU.（14） HANWHA TECHW.（12） HARBIN INST .（11）
UNIV SHANGHA.（11） UNIV SUNGKYU.（10） KOREA INST S.（9） OCEAN S KING.（9）
UNIV SOUTHEA.（9） UNIV ZHEJIAN.（9） CHINESE ACAD.（8） HON HAI PREC.（8）
HONGFUJIN PR.（8） KOREA ADV IN.（8） SEMICONDUCTO.（8） UNIV SUNGKYU.（8）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T

Method for manufacturing graphene used in solar cell, involves heat-treating deposited mixed thin film on semiconductor substrate at specific temperature for preset time.

CHOI S H, YANG S B, KIM S

Method for manufacturing display device e.g. flat-panel display device, involves forming first substrate into anti-static layer consisting of graphene thin film.

HEON K T, HONG K C, HYEON P J, HYE K J, HYUN P J

Tuning method of interlayer spacing in graphene oxide composites used for hydrogen storage, involves chemically-dissecting graphite powder using oxidizing agents, and supplying carbon dioxide into interlayer spacing of composite.

JIN P S, I L S, SOO J P, SEUL Y L

Preparation of graphene powder involves dry grinding or wet grinding magnesium powder and carbonate powder, drying and performing high-pressure combustion synthesis reaction or normal-pressure combustion synthesis reaction.

FEI W, WANG L

Device for preparing graphene, has reaction container whose upper portion is provided with air inlet and air outlet respectively, and reaction material feeding portion is connected with reaction chamber.

YUAN X, WANG Y, ZHOU M