国家/地区 美国（111） 中国（82） 世界知识产权组织（82） 韩国（59） 日本（56） 欧洲专利局（EPO）（48） 台湾（23） 加拿大（11） 印度（9） 英国（7） 波兰（6） 澳大利亚（5） 法国（5） 西班牙（4） 俄罗斯（4） 新加坡（4） 墨西哥（3） 巴西（2） 德国（2）
IPC部 C（207）
IPC大类 C01（207）
IPC小类 C01B（207）
IPC C30B029/02（121） C01B031/04（84） B82Y040/00（60）
C01B031/02（59） C23C016/26（54） C01B032/186（48）
B82Y030/00（46） C30B025/18（46） C01B032/184（30）
C30B029/64（30） C01B032/194（29） C01B032/182（26）
C30B025/02（26） H01L021/02（23） C30B001/02（22）
发明人 ZHANG Y（10） GUO H（8） ZHANG K（7）
JANG B Z（6） LI Y（5） XIE X（5）
AIDA H（4） AOTA N（4） CHOI J（4）
CHOI J Y（4） DING G（4） TANG X（4）
VEERASAMY V S（4） WANG H（4） WANG Y（4）
公开年 2013（27） 2021（25） 2014（20） 2022（20） 2012（18） 2017（18） 2011（13） 2015（13） 2016（13） 2023（11） 2020（9） 2018（8） 2009（6） 2019（3） 2010（2）
申请年 2012（30）  2021（25）  2013（24）  2016（20）  2020（19）  2011（17）  2022（15）  2014（12）  2015（11）  2009（7）  2017（7）  2019（6）  2010（5）  2008（4）  2018（4） 
专利权人 UNIV XIDIAN（8） NAMIKI SEIMI.（6） NANOTEK INST.（6） SHANGHAI INS.（5）
CENT NAT REC.（4） GUARDIAN IND.（4） SAMSUNG ELEC.（4） CHINESE ACAD.（3）
DOKURITSU GY.（3） EMPIRE TECHN.（3） FUJITSU LTD（3） GLOBAL GRAPH.（3）
GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） IND TECHNOLO.（3） NIPPON MININ.（3）
PARAGRAF LTD（3） SUNEDISON SE.（3） UNIV NORTH T.（3） UNIV SINGAPO.（3）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Pellicle used for reticle for extreme-UV exposure, comprises pellicle film through which extreme-UV rays transmit and support frame for supporting pellicle film, where pellicle film comprises multilayer thin film structure.

KIM Y H, KIMYONGHWAN

Preparing single crystal high-nickel cobalt-free material comprises e.g. mixing single crystal high-nickel cobalt-free precursor with lithium source, carrying out calcination, and mixing second single crystal high nickel cobalt free calcined material with graphene oxide solution.

LI C, YU H, XIE Y, LI A

Preparing graphene crystal using plasma enhanced chemical vapor deposition device involves placing insulating substrate in synthesis chamber, pumping synthesis chamber to vacuum, introducing growth gas, generating plasma and transversely growing graphene small crystal nucleus on insulating substrate.

MA S, LIU B

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Device used to conversion of feedstock to resultant material having higher degree of crystallinity than feedstock comprises constraining reservoir, electrodes, compression system, alternating current power source and electrical controller.

MANCEVSKI V, LUONG D X, COOKSEY T, WILLIAMS J, MAZOR E, ZHANG Z, JAY B

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Preparing enhanced reduction graphene oxide/carbon nanotube/pyrolytic carbon composite material involves subjecting graphene oxide/carbon nanotube foam to high-temperature thermal reduction to obtain reduced graphene oxide/carbon nanotube foam.

SHAO D, WANG S, LI Y, YANG J, JIA X, SONG H, WANG C, WEI P, ZHANG J, DING S, FENG L

Producing multilayer graphene, involves synthesizing multilayer graphene from carbon source using iron-chromium alloy film as catalyst.

HAYASHI K, KONDO O

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T