国家/地区 韩国（151）
IPC部 C（151）
IPC大类 C01（151）
IPC小类 C01B（151）
IPC C01B032/182（83） C01B031/04（50） H01M004/36（14）
H01L029/16（12） C01B032/184（11） C01B032/198（11）
C01B032/194（10） C23C016/26（10） C01B032/23（9）
B82Y040/00（8） H01M010/0525（8） C01B032/186（7）
H01L021/02（7） C01B032/19（6） H01G011/32（6）
发明人 KIM J H（7） LEE S H（6） KWON W J（5）
LEE D S（5） LEE J H（5） LEE S S（5）
YANG W S（5） KIM Y H（4） KIM Y K（4）
HWANG D W（3） IFUKU R（3） JEONG S H（3）
JIN P S（3） KIM D（3） KIM J（3）
公开年 2018（151）
申请年 2017（77）  2016（55）  2018（19） 
专利权人 KOREA ADVANC.（7） KOREA INST S.（7） KOREA RES IN.（6） LG CHEM LTD（6）
UNIST ULSAN .（6） UNIV SEOUL N.（6） KOREA ELECTR.（5） ELECTRONICS .（4）
UNIV GACHON .（4） UNIV INHA RE.（4） SAMSUNG ELEC.（3） TOKYO ELECTR.（3）
UNIV YONSEI .（3） ARCELORMITTA.（2） CHARMTRON CO.（2） DAEJOO ELECT.（2）
GAON INT（2） GWANGJU INST.（2） HAESUNG DS C.（2） KOREA ADVANC.（2）

Copper selenide-graphene polycrystalline composite used as thermoelectric material, comprises copper selenide grains, and graphene arranged on grain boundary of copper selenide grains.

LIM Y S

Predicting graphene separation condition by using required load comprises e.g. stabilizing graphene laminate on solvent, and applying required load to uppermost graphene monolayer of graphene laminate to generate predetermined displacement.

YU J, CHOI H K, NAM K H, KIM Y K, YOU N H, KU B C

Producing graphine oxide, comprises e.g. reacting flake type graphite material, acid solution and oxidizing agent to produce oxidized graphene product, removing waste oxidizing agent and waste acid from the product.

IK S J, BUM P H

Producing graphine oxide, comprises e.g. reacting flake type graphite material, acid solution and oxidizing agent to produce oxidized graphene product, removing waste oxidizing agent and waste acid from the product.

IK S J, BUM P H

Method for increasing viscosity of graphene oxide suspension, involves feeding first viscosity graphene oxide suspension into electrophoretic deposition equipment, and performing deposition process by applying voltage to equipment.

JIN A S, SEONGGYU P

Synthesis of graphene for optoelectronic devices, involves placing copper-nickel thin film laminate in chemical vapor deposition, bringing graphene precursor into contact with thin film laminate, and performing chemical vapor deposition.

CHO K, YOO M S, LEE H C, CHO K W

Graphene quantum pin used in biomedical imaging kit, comprises multiple graphene quantum dots aggregate and grow in one direction.

JEON S B, YUN K S, SAMAL M

Manufacture of graphene involves mixing graphene precursor and metal ion solution containing metal and benzene derivative, forming intercalation compound, washing with non-polar organic solvent, and separating with aprotic organic solvent.

WOO J S, MO K J

Semiconductor device comprises substrate comprising insulator and semiconductor comprising group IV material and/or group III-V compound, and graphene layer grown on surface of semiconductor.

SHIN K, SHIN H, CHO Y, NAM S, PARK S, LEE Y, SHIN K W, SHIN H J, CHO Y C, NAM S G, PARK S J, LEE Y S

Producing graphene-carbon nanotube composite useful as electrode material, comprises spraying and drying a mixed solution containing e.g. metal catalyst precursor, and solvent to bind metal catalyst on graphene, and growing carbon nanotube.

LEE S G, LEE J H, PARK H S, LIM J C