国家/地区 中国（814）
IPC部 C（814） B（209） H（100）
G（18） A（11） D（10）
F（4） E（2）
IPC大类 C01（814） B82（142） H01（96）
B01（57） C09（56） C08（38）
B22（27） C25（18） C23（16）
C04（14） C07（13） G01（13）
B32（12） A61（9） C02（9）
IPC小类 C01B（814）
IPC C01B031/04（687） C01B032/184（175） B82Y030/00（90）
B82Y040/00（86） C01B032/19（77） C01B031/02（61）
C01B032/182（53） C01B032/194（52） C01B032/198（44）
C01B032/186（32） C01B031/00（27） C08K003/04（25）
B22F009/24（21） C01B032/192（20） C09K011/65（20）
发明人 ZHANG Y（43） LI X（36） WANG Y（36）
ZHANG X（32） LI J（29） ZHANG J（29）
LIU Y（25） LIU Z（24） WANG X（23）
HUANG W（22） HUANG Y（22） WANG H（22）
WANG L（22） LIU X（21） WANG C（21）
公开年 2015（443） 2016（294） 2017（76）
申请年 2015（814）
专利权人 UNIV CHANGZH.（20） CHENGDU NEW .（18） SHANGHAI INS.（16） HARBIN INST .（15）
UNIV FUDAN（15） UNIV SOUTHEA.（15） UNIV ZHEJIAN.（15） UNIV SOUTH C.（14）
QINGDAO ZHIX.（13） UNIV SHANGHA.（13） NINGBO INST .（10） UNIV BEIJING.（10）
BEIJING INST.（9） CHINESE ACAD.（9） UNIV TIANJIN（9） LIU Y（8）
UNIV DONGHUA（8） UNIV QINGDAO.（8） DEYANG CARBO.（7） GUANGDONG ZH.（7）

Graphene film preparation involves stirring graphene oxide by ultrasonic wave, filtering impurities, coating graphene oxide solution onto polyethylene terephthalate film, continuously drying, and separating formed graphene oxide film.

XIANG X

Preparing directly layer of controllable graphene on insulating substrate comprises forming insulating substrate on first metal layer, injecting carbon ions, forming second metal layer on surface of first metal layer and annealing.

DI Z, WANG Z, WANG G, ZHENG X, DAI J, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Preparing graphene by supercritical fluid vaporization involves filling graphite powder with carbon dioxide gas into liquefied carbon dioxide at certain system pressure to obtain graphite dispersion.

TAN B, LONG D, JIANG H

Graphene oxide used in organic synthesis field, has ketene structure, which is prepared by taking graphite anode, graphite cathode or platinum electrode and sodium chloride aqueous solution as electrolyte and electrolyzing.

YANG Z, JIANG C

Method for transferring graphene for use in e.g. organic nano-electronics, involves heating easily sublimated substance, condensing surface of graphene grown on initial matrix and obtaining support layer/graphene/initial matrix.

DENG Y, WANG Y, ZHANG X, DAI L, MA R

Preparation of continuous single layer graphene on insulating substrate by providing insulating substrate, depositing germanium film on insulating substrate, using germanium film as catalyst and growing graphene at high temperature.

DI Z, WANG Z, DAI J, WANG G, ZHENG X, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Preparation of patterned graphene involves providing insulating substrate, depositing germanium film on insulating substrate, etching desired pattern in germanium film, forming patterned germanium film, and continuously evaporating.

DI Z, WANG Z, DAI J, WANG G, ZHENG X, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Preparation of graphene-nanosilver dispersion liquid involves mixing graphite powder and dispersant with solvent, adding polyvinylpyrrolidone aqueous solution, graphene solution, silver nitrate solution and reducing agent, and stirring.

LIU P, NING T, NING W, HU W

Graphene dispersion agent comprises N-methyl-pyrrolidone, sodium hexadecylbenzenesulfonate, sodium dodecylbenzenesulfonate, polyethylene pyrrolidone, sodium lignosulfonate, sodium cholate hydrate and hexadecyltrimethylammonium bromide.

SONG Z, XIE Y

Graphene production device comprises electrolytic bath loaded with electrolyte, electrode immersed in electrolytic solution, another electrode, and roller device comprising roller and graphite parts provided in roller.

YAO P