国家/地区 中国（37）
IPC部 C（37）
IPC大类 C01（37）
IPC小类 C01B（37）
IPC C01B031/04（29） C23C016/26（25） C01B031/02（17）
B82Y040/00（12） B82Y030/00（11） C01B032/186（7）
C23C016/02（7） C23C014/06（5） C23C016/44（5）
C23C016/455（4） C23C016/54（4） C23C016/56（4）
H01B013/00（4） H01G011/36（4） B32B009/00（3）
发明人 LIU Z（4） GUO S（3） JIN H（3）
OZKAN C S（3） OZKAN M（3） PENG P（3）
SONG J（3） ZHOU Z（3） DU C（2）
FAN T（2） LI Z（2） LIU Y（2）
MARTENS R I（2） MIN Y（2） SHI H（2）
公开年 2013（20） 2014（13） 2015（4）
申请年 2013（37）
专利权人 CHANGZHOU ER.（3） UNIV CALIFOR.（3） CHANGZHOU 2D.（2） CHONGQING IN.（2）
GUO S（2） NANJING XINY.（2） OZKAN C S（2） OZKAN M（2）
SHENZHEN CHI.（2） TE CONNECTIV.（2） TYCO ELECTRO.（2） UNIV OHIO（2）
UNIV OHIO ST.（2） WANG W（2） WANG Y（2） YANCHENG ZEN.（2）

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Substrate for graphene growth, has glass-ceramic body, and multiple metallic islands that is disposed on surface of glass-ceramic body.

BORRELLI N F, FEKETY C R, LIU X, SONG Z

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Manufacturing graphene layer by performing sputtering process to form graphite layer on substrate, and performing lithography process on graphite layer for thinning graphite layer and making graphite layer thinned to become graphene layer.

HUANG C, CHIU S, CHUNG C, WU B, HUANG J, QIU S, ZHONG C, HUANG C H, CHIU S M, CHUNG C J, WU B H

Copper foil used in manufacture of graphene, has preset surface roughness, and contains copper plating layer and/or copper sputter layer.

KOHIKI MICHIYA, SAKAGUCHI KAZUHIKO, KOHIKI M, SAKAGUCHI K, MICHISHITA N

Fabricating graphene film for forming graphene based device e.g. dielectric capacitor, by heating substrate at specific temperature in chamber, introducing carbon source into the chamber and cooling substrate to room temperature.

OZKAN C S, OZKAN M, GUVENC A B, PAUL R K, LIN J, GHAZINEJAD M, PENCHEV M, GUO S, ZHONG J, HAYASHI K

Graphene synthesizer used for synthesizing graphene, comprises heater unit for applying heat to continuous catalytic metal thin film, susceptor unit arranged between catalytic metal thin film and heater, and source material supply unit.

YOON J, YOON J H

Silicon carbide substrate graphene production device includes quartz heating cavity, heating cavity inner bucket, heating chamber, opening cavity, top cover, temperature measuring window, air inlet, air outlet and cooling water exit.

GAO Y, SONG J, WANG J, ZHANG H

Preparation of transparent conductive graphene thin film used for e.g. organic light-emitting diode, by performing Hummers with carbon material, dispersing graphene oxide in organic solvent and substrate, and opening water groove.

FAN T, LIU Y, MIN Y, SONG J, TONG S, ZHANG L