国家/地区 世界知识产权组织（99）
IPC部 C（99）
IPC大类 C01（99） H01（54） B82（48）
C23（19） B01（17） C07（12）
B32（11） C08（11） C25（9）
C09（8） B05（6） H05（4）
B29（3） B44（3） C22（3）
IPC小类 C01B（99）
IPC C01B031/02（99）
发明人 MUELLEN K（5） FENG X（4） GUO S（4）
MILLEN K（4） MULLEN K（4） YOON J（4）
YOON J H（4） CAI J（3） FASEL R（3）
LEE S（3） OZKAN C S（3） OZKAN M（3）
RUFFIEUX P（3） SATO M（3） TSAI J（3）
公开年 2014（51） 2013（36） 2015（12）
申请年 2013（99）
专利权人 BASF CHINA C.（6） BASF SE（6） MAX PLANCK G.（6） HANWHA TECHW.（5）
SAMSUNG TECH.（5） DOKURITSU GY.（4） NAT INST ADV.（4） NIPPON MININ.（4）
HANWHA AEROS.（3） UNIV CALIFOR.（3） BASF SCHWEIZ.（2） CALIFORNIA I.（2）
EMPA EIDGENO.（2） EMPA MATERIA.（2） EMPIRE TECHN.（2） FUJI ELECTRI.（2）
FUJITSU LTD（2） GRAPHENEALL .（2） GUO S（2） JX NIPPON MI.（2）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Manufacture of graphene powder used for, e.g. electronic components, involves cleaving raw material containing graphite by jet stream of gas at specific speed, and micronizing.

HASEGAWA SHOJI, KAMIYA NAGISA, HASEGAWA S, KAMIYA N

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Preparation of graphene involves contacting metal and composition containing graphene oxide under conditions sufficient to reduce portion of graphene oxide to graphene.

ZHAO C, MIN S, DONG X, QIAN X

Producing patterned graphene comprises irradiating focal point on metal substrate surface with laser beam in the presence of carbon dioxide and moving the beam relative to surface so that focal point is displaced along the pattern.

ZHAO C, DONG J, DONG X, QIAN X

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Method for growing germanium quantum point for preparing graphene-germanium quantum point composite material for e.g. LED, involves forming graphene layer on thin film, and performing graphene layer and germanium thin film annealing process.

LI Z, BAI B, YANG X, WANG X, XU Y, DAI Q, QIU X

Producing in electrochemical cell of one or more of graphene, graphite nanoplatelet structures, and graphane, involves passing current through cell to intercalate ions into graphitic negative electrode.

DRYFE R A W, KINLOCH I A, ABDELKADER A M, JEFF R A W, DRYFE R A V