国家/地区 美国（55） 世界知识产权组织（37） 中国（30） 韩国（24） 欧洲专利局（EPO）（23） 日本（19） 台湾（8） 加拿大（4） 西班牙（4） 印度（4） 俄罗斯（4） 澳大利亚（3） 法国（3） 墨西哥（3） 巴西（2） 波兰（2） 新加坡（2）
IPC部 B（75）
IPC大类 B82（75） C30（75） C01（61）
H01（36） C23（25） B32（17）
B05（8） B01（7） C03（3）
C09（3） G01（3） H05（3）
B21（2） B22（2） B81（2）
IPC小类 B82Y（75）
IPC B82Y040/00（75）
发明人 VEERASAMY V S（5） JANG B Z（4） WANG H（4）
VEERASAMY V（3） XIE X（3） XIONG W（3）
ZHAMU A（3） ARNOLD M S（2） BERRY V（2）
CASTRO A H（2） CHOI J（2） DING G（2）
HAUCK J P（2） LI C（2） LIU H（2）
公开年 2013（14） 2014（9） 2012（8） 2011（7） 2021（6） 2015（5） 2017（5） 2018（5） 2016（4） 2020（4） 2022（3） 2010（2） 2023（2）
申请年 2012（12）  2013（12）  2011（8）  2014（7）  2020（7）  2016（6）  2009（4）  2017（4）  2021（4）  2015（3）  2010（2）  2019（2）  2022（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（5） NANOTEK INST.（4） UNIV SINGAPO.（4） EMPIRE TECHN.（3）
GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） SAMSUNG ELEC.（3） SHANGHAI INS.（3）
CENT NAT REC.（2） CHINESE ACAD.（2） DING G（2） JANG B Z（2）
LOCKHEED MAR.（2） MEMC ELECTRO.（2） SAMSUNG TECH.（2） SUNEDISON SE.（2）
UNIV BEIJING.（2） UNIV BEIJING.（2） UNIV KANSAS .（2） UNIV SINGAPO.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Method for preparing micro-nano materials comprise e.g. introducing sacrificial carrier into slurry containing raw materials and auxiliary agents, shaping and drying to form mixture, synthesizing preform to prepare porous body made of micro-nano materials, and performing dispersion operation.

LI Q

Growing graphene nanoribbon involves depositing aromatic molecular seeds from gas phase onto surface of growth substrate, and growing graphene nanoribbon from aromatic molecular seeds via chemical vapor deposition, where growth substrate is germanium substrate.

JACOBBERGER R M, WAY A J, ARNOLD M S

Preparing high-quality third-fifth compound substrate used in photoelectronic device, photoelectric integration, ultra-high-speed microelectronic device, involves providing third group metal-organic source mixed precursor.

WANG G, YAN Q

Assembly method of plant device containing lead-free double perovskite quantum dot crystal involves preparing lead-free double perovskite quantum dot crystal, packaging the lead-free double perovskite quantum dot crystal.

CHEN Q, SHI M, ZOU J, JIN D, WAN W, ZHOU Y

Method for transferring graphene onto a polymer substrate has given carrier for electronics.

GREBENKO A K, AITKULOVA A D, KRASNIKOV D V, NASIBULIN A G

Preparing ditelluride nanosheet comprises mixing and reacting metal ditelluride crystals, alkali metal salt and aprotic solvent to obtain intermediate inserted with alkali metal ions, and exfoliating with alkali metal ions in protic solvent.

WU C, PENG J, GUO Y, XIE Y

Making bilayer graphene domain used to make optoelectronic devices, comprises e.g. dissolving decaborane into phenyl methyl ether, and coating obtained decaborane/phenyl methyl ether solution to cleaned metal foil/film layer.

LING D, LIU J, WEI D, ZHANG Q, HE X

Single crystal metal film for conductive film and substrate for growth of two-dimensional nanomaterial, is embedded with seed crystals containing seeds oriented in preset direction or seed crystals single crystallized in preset direction.

PARK H B, ROH J S, JANG J K, CHANG J K

Composition used in flexible near infrared photodetector, comprises nanowire.

IYER S, NALAMATI S R K, LI J