国家/地区 美国（113）
IPC部 C（113）
IPC大类 C01（113）
IPC小类 C30B（113）
IPC C30B029/02（72） C01B031/04（66） B82Y040/00（49）
B82Y030/00（40） C01B031/02（35） C23C016/26（33）
C30B025/18（31） C01B032/186（27） C01B032/184（19）
C01B032/194（17） C23C016/02（17） C30B029/64（17）
C01B032/182（16） H01L021/02（16） C30B025/02（15）
发明人 JANG B Z（6） CHOI J（4） VEERASAMY V S（4）
XIE X（4） YOON S（4） ZHAMU A（4）
BERRY V（3） CHOI J Y（3） DING G（3）
MIWA T（3） MOMO J（3） NOMOTO K（3）
SEACRIST M R（3） SHIN H（3） VEERASAMY V（3）
公开年 2013（17） 2014（13） 2015（11） 2016（11） 2021（11） 2017（10） 2012（9） 2011（8） 2022（6） 2009（5） 2018（4） 2020（4） 2010（2）
申请年 2013（19）  2012（13）  2014（11）  2016（11）  2011（10）  2015（9）  2020（8）  2021（7）  2009（6）  2017（5）  2008（4）  2022（4）  2010（2）  2019（2） 
专利权人 NANOTEK INST.（6） GUARDIAN IND.（4） SHANGHAI INS.（4） CENT NAT REC.（3）
EMPIRE TECHN.（3） GLOBAL GRAPH.（3） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3）
SAMSUNG ELEC.（3） SEMICONDUCTO.（3） SUNEDISON SE.（3） UNIV KANSAS .（3）
UNIV SINGAPO.（3） CHINESE ACAD.（2） CNRS CENT NA.（2） DING G（2）
ECOLE POLYTE.（2） GEN GRAPHENE.（2） JANG B Z（2） JX NIPPON MI.（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Growing graphene nanoribbon involves depositing aromatic molecular seeds from gas phase onto surface of growth substrate, and growing graphene nanoribbon from aromatic molecular seeds via chemical vapor deposition, where growth substrate is germanium substrate.

JACOBBERGER R M, WAY A J, ARNOLD M S

Graphene composite comprises substrate, first thin film positioned on substrate, and second thin film positioned on first thin film, where first thin film includes graphene and second thin film includes at least any one of vanadium selenide, vanadium disulfide, vanadium ditelluride, tantalum sulfide.

CHOI B K, CHANG Y J, JANG Y

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Tantalum carbide-coated carbon material for e.g., LED manufacturing equipment, comprises a carbon substrate, and a tantalum carbide coating layer formed on the carbon substrate.

JO D W, CAO D, WAN J, CHO D W

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Production of transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction composite involves transferring graphene onto flexible substrate, depositing transition metal layer on substrate, and injecting gas containing plasma-treated sulfur.

KIM H U, SEOK H, LEE J, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S

Sp2-sp3 hybrid crystalline boron nitride has basic structural unit composed of sp2 hybridized graphite-like structural unit and sp3 hybridized diamond-like structural unit, where the two types of units are connected via coherent interface.

ZHAO Z, LUO K, SUN L, LIU B, HU W, HE J, YU D, TIAN Y, XU B, LIU Z, ZHAO Z S, HU W T, HE J L, YU D L, TIAN Y J, LIU Z Y