国家/地区 中国（92）
IPC部 C（92）
IPC大类 C23（92）
IPC小类 C30B（92）
IPC C23C016/26（50） C30B029/02（48） C30B025/18（38）
C23C016/02（20） C01B031/04（17） B82Y040/00（16）
H01L021/02（15） C30B025/00（14） B82Y030/00（13）
C01B032/186（11） C23C016/56（11） C30B029/40（11）
C01B031/02（10） C23C014/06（10） C23C014/35（10）
发明人 ZHANG Y（10） WANG H（7） WANG D（6）
ZHANG J（6） CHEN Z（5） HAO Y（5）
LEI T（5） XIE X（5） ZHANG K（5）
DENG P（4） GUO H（4） LI C（4）
LI X（4） NING J（4） BI H（3）
公开年 2022（15） 2012（14） 2021（10） 2016（8） 2013（7） 2015（6） 2017（6） 2023（6） 2011（5） 2018（5） 2020（5） 2014（4）
申请年 2021（14）  2012（13）  2022（11）  2016（9）  2020（8）  2013（7）  2011（6）  2014（6）  2017（5）  2015（4）  2009（2）  2018（2）  2019（2）  2023（2） 
专利权人 SHANGHAI INS.（9） UNIV XIDIAN（9） UNIV PEKING（4） CHINESE ACAD.（3）
CHINESE ACAD.（3） GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3）
UNIV TSINGHU.（3） CHANGZHOU ER.（2） CHINESE ACAD.（2） CHONGQING GR.（2）
DING G（2） HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） INST SEMICON.（2）
PENG P（2） UNIV BEIJING.（2） UNIV HENAN（2） UNIV NAT DEF.（2）

Preparation of folding-resistant high-peeling aluminum-coated fabric involves coating coupling agent on etched surface of aluminum foil, coating conductive adhesive on coupling agent layer, pressing fabric on adhesive layer, and sewing.

CHEN Y, YE W, SUN Q, LONG X

Preparing wafer-sized gallium oxide film comprises e.g. cleaning gallium metal droplets to remove surface oxide film, placing pure gallium droplet on surface of heated substrate, and roll gallium droplet with extrusion rod coated with viscoelastic or rubbery polymer material on surface.

ZHANG L, TU R, LU P, ZHANG S, LI B

Preparing single crystal graphene/two-dimensional cuprous telluride heterojunction surface-enhanced Raman spectroscopy substrate useful in surface-enhanced Raman spectroscopy, comprises etching copper film on single-crystal graphene, heating in tellurium source and molecular sieve and reacting.

CHANG K, HUANG M, WANG H, CHEN K

Preparing a metal wafer substrate involves forming metal thin film on the sapphire substrate by magnetron sputtering, and annealing under mixed atmosphere of hydrogen and argon.

PENG H, YANG Y, CAO Y, TANG J, YAN R, DU Y

Improving quality of metal catalytic thin layer prepared by sputtering comprises cleaning Si/SiO2 substrate, photoetching the pattern, sputtering a layer of metal thin layer with the graphene of catalyzing and growing on the substrate sheet by using the sputtering table, peeling and etching.

ZHAO Y, YU X, LIU Z, NIE X, SONG Z, DENG J, HE X

Growing single crystal III-nitrides on ceramic substrate comprises e.g. depositing filling material on surface of ceramic substrate, grinding and polishing to obtain smooth surface, and/or forming aluminum-oxygen compound layer or two-dimensional material layer on surface.

GUO F, YANG H, CHEN Z, WU J, SHEN B, YANG X

Preparing quantum resistance chip based on graphene, involves providing silicon carbide substrate, annealing silicon carbide substrate, performing epitaxial growth on surface of substrate by using chemical vapor deposition method by using silicon ethane as gas catalyst and acetylene.

XIAO X, CHEN L, KONG Z, WANG H

Preparing metal/graphene/polycrystalline diamond film particle detector used in field of nuclear physics, comprises depositing layer of graphene on surface of patterned metal substrate as ohmic contact electrode layer and growing diamond film in situ on graphene, where metal substrate is copper foil.

XIONG Y, WANG B

Epitaxial gallium nitride (GaN) with diamond as substrate comprises diamond substrate, single-layer or multi-layer graphene layer arranged on diamond substrate, aluminum nitride layer sputtered on graphene layer, and gallium nitride thin film epitaxially grown on aluminum nitride.

LI X, ZHANG F

Preparing single crystal domain and polycrystalline domain graphene useful in technical field of basic research and graphene, comprises heating graphene film under an air atmosphere and annealing.

ZHENG Q, MA M, HUANG J, YU Z, HE Y