国家/地区 中国（1065） 美国（349） 韩国（297） 世界知识产权组织（231） 日本（169） 欧洲专利局（EPO）（105） 台湾（48） 德国（20） 加拿大（16） 印度（16） 西班牙（13） 新加坡（11） 英国（8） 俄罗斯（8） 香港（6） 巴西（4） 墨西哥（4） 澳大利亚（3） 法国（3） 以色列（3）
IPC部 C（916） H（667） B（560）
G（138） D（42） A（32）
F（13） E（4）
IPC大类 H01（642） C01（585） B82（338）
B01（186） C08（170） C23（121）
B32（102） G01（87） C09（83）
C30（39） B05（36） C02（33）
C25（31） H05（31） D01（30）
IPC小类 C01B（582） B82Y（309） H01L（306）
H01M（197） B01J（168） C08K（135）
H01B（130） C23C（119） C08L（116）
H01G（111） B32B（102） G01N（73）
B82B（56） C08J（50） C08G（45）
IPC C01B031/04（416） C01B031/02（243） B82Y040/00（220）
B82Y030/00（184） C08K003/04（123） C23C016/26（79）
H01B001/04（63） H01G009/042（57） B82B003/00（50）
H01L029/16（48） H01L021/336（45） H01L029/78（45）
H01L021/02（43） H01M004/62（43） B82Y099/00（42）
发明人 WANG Y（85） ZHANG Y（70） ZHOU M（63）
LI Y（55） WANG Z（44） WANG X（37）
ZHANG X（33） GUO H（32） LIU J（31）
LIU Z（31） ZHANG K（30） LEI T（27）
ZHANG F（27） LIU X（26） WANG L（26）
公开年 2012（1533）
申请年 2012（684）  2011（642）  2010（207） 
专利权人 UNIV ZHEJIAN.（56） HAIYANGWANG .（51） OCEANS KING .（48） SAMSUNG ELEC.（38）
UNIV SHANGHA.（35） UNIV XIDIAN（31） INT BUSINESS.（28） SHENZHEN OCE.（25）
UNIV SOUTHEA.（24） HARBIN INST .（22） SAMSUNG LED .（21） UNIV SUNGKYU.（20）
UNIV TSINGHU.（20） SAMSUNG TECH.（19） UNIV TIANJIN（19） UNIV SHANGHA.（18）
CHINESE ACAD.（17） UNIV PEKING（17） UNIV CHINA E.（16） KOREA ADV IN.（15）

Composite useful for manufacturing heat radiation sheet used in electronic components and devices, comprises polyimide and graphene.

WEON T O, DAE H K, MIN S K

Formation of transistor structure involves forming graphene layer on insulating layer, forming stack of primary and secondary metal portions, and laterally offsetting sidewalls of primary metal portion relative to secondary portion.

AVOURIS P, FARMER D B, LIN Y, ZHU Y

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Fabrication method for forming sensor e.g. graphene biosensor involves forming sensor having first dielectric layer disposed on substrate, graphene layer disposed on first dielectric layer and gate region disposed on sacrificial layer.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N

Method of forming graphene metal matrix composite for e.g. semiconductor device, involves removing solvent containing graphene nanoplatelets to form uniformly oriented graphene layer which is included within metal matrix.

KIM N P, HUANG J P

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Metal-free complementary metal oxide on semiconductor integrated circuit for use in semiconductor chip fabrication field, has graphene layer including region of undoped graphene, where undoped graphene is connected with transistor channel.

LIN Y, YAU J

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T