国家/地区 中国（1065）
IPC部 C（648） H（394） B（338）
G（83） D（29） A（21）
F（8） E（4）
IPC大类 C01（386） H01（382） B82（180）
C08（126） B01（122） C23（71）
C09（62） G01（57） B32（53）
C02（29） C30（28） C25（22）
C07（19） D01（19） C12（16）
IPC小类 C01B（384） B82Y（176） H01M（154）
H01L（135） B01J（111） C08K（99）
H01G（92） C08L（89） C23C（69）
H01B（61） B32B（53） G01N（50）
C08G（41） C09K（33） C08F（30）
IPC C01B031/04（342） B82Y040/00（135） B82Y030/00（107）
C01B031/02（95） C08K003/04（93） H01G009/042（52）
C23C016/26（44） H01M004/62（37） H01B013/00（31）
H01M004/58（31） C08K009/04（29） H01M004/38（29）
H01M004/36（28） H01M004/583（27） H01B001/04（25）
发明人 WANG Y（85） ZHANG Y（69） ZHOU M（62）
LI Y（55） WANG Z（44） WANG X（37）
GUO H（32） ZHANG X（32） ZHANG K（30）
LIU J（29） LEI T（27） LIU Z（27）
ZHANG F（27） LIU X（26） WANG L（26）
公开年 2012（1065）
申请年 2012（585）  2011（405）  2010（75） 
专利权人 UNIV ZHEJIAN.（56） HAIYANGWANG .（51） OCEANS KING .（48） UNIV SHANGHA.（35）
UNIV XIDIAN（31） SHENZHEN OCE.（25） UNIV SOUTHEA.（24） HARBIN INST .（22）
UNIV TIANJIN（19） UNIV TSINGHU.（19） UNIV SHANGHA.（18） CHINESE ACAD.（17）
UNIV PEKING（17） UNIV CHINA E.（16） UNIV CHANGZH.（15） UNIV DONGHUA（15）
CHINESE ACAD.（13） UNIV BEIJING.（13） CHINESE ACAD.（12） CHINESE ACAD.（12）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T

Graphene-based back electrode material used for polycrystalline cadmium telluride solar cell, has three-dimensional continuous network structure of graphene and binder.

BI H, HUANG F, LIANG J, LIN T

Silicon stone graphene FET has source region and drain region of FET are located on graphene layer in channel area which is formed between source region and drain region.

CHEN Z, KUANG W, LIU X, TANG Z

Preparation of graphene oxide/sulfide composite electrode material by dissolving graphite oxide with deionized water, ultrasonically peeling off, adding dimethylformamide, acid salt and water reducing agent, centrifuging, and drying.

DING G, DU F, JIANG M, XIE X

Vanadium oxide-graphene composite catalyst is obtained by mixing ammonium metavanadate aqueous solution, graphite oxide, anhydrous ethanol and hexadecyltrimethylammonium bromide.

DONG Y, XUE L, FU H, WEI L, JIE L, ZHU Y, SONG W, YUAN F

Preparation of graphene powder involves dry grinding or wet grinding magnesium powder and carbonate powder, drying and performing high-pressure combustion synthesis reaction or normal-pressure combustion synthesis reaction.

FEI W, WANG L