国家/地区 日本（58）
IPC部 B（58）
IPC大类 C01（58） B82（36） H01（33）
B01（16） B32（15） C08（11）
C09（10） C25（5） B05（4）
C04（3） C22（3） C23（3）
C30（3） G01（3） H05（3）
IPC小类 C01B（58）
IPC C01B031/02（51） B82Y030/00（32） C01B031/04（30）
B82Y040/00（29） C01B032/182（20） B32B009/00（12）
C01B032/15（11） C01B032/18（10） C01B032/184（8）
C08K003/04（7） H01L029/06（7） H01B001/04（6）
H01L021/336（6） B82B003/00（5） C01B032/194（5）
发明人 SATO M（4） ISOBAYASHI A（3） KAJITA A（3）
SAITO T（3） TANG J（3） WADA M（3）
CHENG Q（2） CHIBA Y（2） CHIU G（2）
FUJII K（2） HAYASHI K（2） HENDRIKS J（2）
HENDRIX J（2） JANG B Z（2） KAGAWA S（2）
公开年 2014（58）
申请年 2013（32）  2014（16）  2012（10） 
专利权人 DOKURITSU GY.（6） NAT INST ADV.（4） TOSHIBA KK（4） FUJI ELECTRI.（3）
FUJITSU LTD（3） NAT INST MAT.（3） DOKURITSU GY.（2） JANG B Z（2）
JX NIPPON MI.（2） KAGAWA S（2） LIN Y（2） NANOTEK INST.（2）
PANASONIC CO.（2） SEIJI K（2） SEKISUI CHEM.（2） SEKISUI CHEM.（2）
UNIV RUTGERS.（2） ZHAMU A（2）

Separating graphene used for e.g. semiconductor device, comprises providing container including graphite particle, graphene and solvent, separating graphite particles from container using magnetic field, and discharging solvent from outlet.

KITAURA H, NISHIKI N, NISHIKAWA K, NAKAYA K, TANAKA A, NAKATANI K, NISHIGI N, TANAGA A

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Defect repairing method of graphene film e.g. planar crystalline carbon film, involves irradiating laser by giving carbon source to portion identified as defect portion of film, and restoring local defect of film.

OKIKAWA Y, ISHIHARA M, OMURA H, HASEGAWA M

Synthesis of nano-structured polymers containing graphene involves reacting graphite oxide containing bound oxygen dispersed in solvent by ultrasounds, with vinyl monomer and vinyl aromatic monomer, in presence of strong inorganic acid.

GOFFREDI G, LONGO A, VALENTINO O, FELISARI R, CASALINI A

Synthesis of nanoporous graphene and photo luminescent graphene quantum dots used for e.g. gas separation, involves preparing mixture by dispersing graphene in hydrogen peroxide, filtering mixture, drying residue and dialyzing filtrate.

KURUNGOT S, PALANISELVAM T, PLANISELVAM T, THANGAVELU P

Semiconductor device has channel layer whose right edge is bonded with substrate and left edge is floated from substrate, and that is made of graphene by ether bond or ester bond.

JIPPO H

Formation of modified graphene surface used for forming graphene layer for device e.g. nanoelectromechanical systems, involves providing defect-free graphene monolayer, and providing molecules comprising binding group in solvent.

SCHNEIDER G F, DEKKER C, DECKER C

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Manufacture of graphene quantum dots used for road stickers, road signs, coatings, clothing, paints and photographic processing materials, involves exposing carbon source chosen from coal and coke to oxidant.

TOUR J M, YE R, XIANG C, LIN J, PENG Z, HAYASHI K, CERIOTTI G

Graphene ball conductive adhesive preparation by preparing polymer microsphere using monomer mixture, performing chemical vapor deposition to grow graphene on microsphere surface, and dispersing graphene ball into epoxy resin glue system.

CHEN Y, LI J, LI Y, ZHANG X, LEE Y