国家/地区 日本（35）
IPC部 B（35）
IPC大类 C01（26） B32（13） B82（13）
B01（11） H01（11） C23（6）
C08（4） B29（3） C25（3）
D01（3） G01（3） B05（2）
C09（2） D06（2） G02（2）
IPC小类 C01B（26） B32B（13） B82Y（13）
B01D（6） B01J（6） H01L（6）
C23C（5） C08J（4） B29C（3）
C08K（3） D01F（3） H01M（3）
B05D（2） B29K（2） B29L（2）
IPC B82Y030/00（11） C01B032/182（11） B82Y040/00（9）
C01B032/15（8） C01B032/184（8） C01B032/186（7）
C01B032/194（6） C01B032/198（6） B01D071/02（5）
B32B009/00（5） C01B032/18（5） C23C016/26（5）
B01D069/12（4） H01L021/336（4） B01D069/10（3）
发明人 KATAGIRI M（3） MIYAZAKI H（3） SAKAI T（3）
CRUZ SILVA RODOLFO（2） ENDO MORINOBU（2） FAN S（2）
FUKIDOME H（2） FUKUYO TOMOYUKI（2） INUZUKA M（2）
JIANG K（2） KATAYAMA K（2） KONG W（2）
MIHASHI F（2） MITSUHASHI F（2） MORELOS GOMEZ AARON（2）
公开年 2018（18） 2017（17）
申请年 2017（35）
专利权人 TOSHIBA KK（4） UNIV SHINSHU（3） GREEN NANOTE.（2） HON HAI PREC.（2）
HONGFUJIN PR.（2） QI K Z（2） SHOWA DENKO .（2） SUMITOMO ELE.（2）
SUMITOMO RIK.（2） UNIV KYOTO（2） UNIV TOHOKU（2） UNIV TSINGHU.（2）
ZENG T（2）

Method for measuring area of graphene, involves obtaining resonance curve by cavity resonator perturbation method for measurement object, and obtaining area of graphene film of measurement object based on correspondence relationship.

UENO Y, OGAWA Y, SEKI S, TSUTSUI Y, SAKURAI T, SAKAMAKI D, TAKEUCHI T, NISHIYAMA S, CHOI U J

Zeolite membrane used for separating mixed gas, is obtained by bonding zeolite microcrystal materials having surface coated using graphene oxide mutually without gap through graphene oxide.

RADOVAN K, ESTEBAN B B F, KANEKO K, NIMURA R

Graphene oxide structure used for e.g. electronic apparatus, has preset peak area obtained by adding peak area of peak derived from bond between carbon and hydrogen and peak area of peak derived from bond between carbon and carbon.

WATANABE M, HATAKEYAMA K, KOINUMA M

Structure comprises substrate, and graphene having nucleus to which cross-sectional area of direction parallel to substrate becomes small as it separates from substrate to surface side of substrate, helical form and width.

NARUTSUKA S, UEDA Y

Optical laminate for window glass, comprises barrier thin film of tin, silicon, chromium, zinc, aluminum, indium, and/or their oxides/nitrides, and high-refractive-index layer of polymer having functional group and/or graphene, and binder.

INUZUKA M, KATAYAMA K, SASAI T, YOSHIDA K

Graphene wiring structure for use in semiconductor device, has multilayer graphene formed on insulating film, where average particle diameter of graphene crystals is larger than width of multilayer graphene.

MIYAZAKI H, SAKAI T, NISHIDA Y, YOSHIDA T, YAMAZAKI Y, KATAGIRI M, SAKUMA N, SAKUMA H

Manufacturing graphene nanoribbon for e.g., quantum computer, by filling pore of porous material with polycyclic aromatic compound, polymerizing the polycyclic aromatic compound, and collecting graphene nanoribbons containing the polymer.

UEMURA T, KITAO T, KITAGAWA S

Wiring for semiconductor device, includes first metal portion, multilayer graphene, and second metal portion which are interposed between conductive portions.

KATAGIRI M, SAITO T, SAKAI T, MIYAZAKI H

Optical thin film used for forming optical laminate, comprises graphene and organic material, and has preset refractive index with respect to light having specific wavelength.

KATAYAMA K, INUZUKA M, YOSHIDA K, SASAI T, TAKAMATSU S, MINOSHIMA R, NARASAKI T

Manufacturing graphene film used for manufacturing pellicle involves coating graphene with protective film, removing base material by wet etching with etching liquid and dissolving protective film using solvent having lower surface tension.

YANASE Y, YANASE M, LIANG L