国家/地区 韩国（66）
IPC部 C（47） H（33） B（22）
G（8） A（3） D（2）
F（2）
IPC大类 C01（40） H01（33） C08（12）
B01（11） B82（9） C23（8）
C09（7） G01（7） C07（5）
B32（4） A61（3） B29（2）
C04（2） C12（2） C25（2）
IPC小类 C01B（40） H01L（20） C08K（10）
H01M（10） B82Y（8） C08L（8）
C23C（8） H01B（8） G01N（7）
B01D（6） B01J（6） B32B（4）
C08J（4） C09D（4） H01G（4）
IPC C01B031/04（33） C01B031/02（12） C01B032/182（11）
C08K003/04（10） B82Y040/00（8） H01L029/16（8）
H01M004/62（8） B82Y030/00（7） C01B032/194（7）
H01B001/04（7） H01M010/052（7） C01B032/184（6）
H01L021/02（5） H01M004/36（5） B01D069/10（4）
发明人 PARK H（6） KIM H（5） LEE C（5）
LEE J（5） PARK S（4） SHIN H J（4）
BAEK J（3） HO B P（3） JEON I（3）
JONG B B（3） KIM H W（3） PARK H B（3）
PARK S J（3） SHIN H（3） YOO B（3）
公开年 2015（66）
申请年 2015（66）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（6） UNIV HANYANG.（6） UNIV SEOUL N.（6） UNIV HANYANG.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） GWANGJU INST.（3） UNIST ACADIN.（3） UNIV HANYANG.（3）
JINAN SHENGQ.（2） JINAN SHENGQ.（2） LEE C（2） LEE J（2）
LEE Y T（2） LG CHEM LTD（2） LG ELECTRONI.（2） PARK D I（2）
UNIST ULSAN .（2） UNIV CHONNAM.（2） UNIV PUSAN N.（2）

Composite used as electrochemically active material for forming electrode of lithium battery, field-emission device, biosensor, semiconductor device and thermoelectric device, comprises silicon dioxide in graphene matrix.

SON I, PARK J, CHANG J, KU J, LI X, CHOI J, SON I H, PARK J H, CHANG J J, KU J H, LI X S, CHOI J M

Preparation of carbon sheets used in e.g. electronic devices, involves growing graphene nanopowder comprised in graphene seed layer into carbon sheet comprising single layered graphene sheet of preset length and graphite sheet.

LEE J, PARK Y, CHOI W, LEE J K, PARK Y S, CHOI W K

Method of manufacturing graphene layer on substrate, involves laminating metalized graphene layer to second substrate.

LIPOMI D J, ZARETSKI A, LIPOMI D

Composite polymer electrolyte membrane used for energy storage devices, comprises sulfonated graphene oxide, polymers, and dispersing agent.

CHO M S, JUNG H Y, KIM M W

Manufacture of stretchable conductive material, involves coagulating graphene form powder dispersed solution, after coating polymer having elasticity on dried graphene form powder.

HA J S, RA J Y, HEUN P

Nitrogen-doped graphene coated nano-sulfur anode composite material, used in making lithium-sulfur batteries, comprises three-dimensional conductive network formed by nitrogen-doped graphene, and nitrogen-doped graphene sheets.

HOU Y, LI G, LI H, LI W, LIU M, QIU Y, YE F, ZHANG Y, ZHOU L

Semiconductor device, has first gate insulating layer comprising first ion gel, channel layer comprising graphene, and second gate insulating layer comprising second ion gel, which is different from first ion gel.

KIM U, SHIM Y, PARK Y, LEE C, HWANG S, KIM U J, SHIM Y S, PARK Y S, LEE C W, HWANG S W

Graphene structure for electronic component e.g. transistor, comprises two-dimensional base graphene layer having defect, and linking material formed at defect of base graphene layer.

SUNG M, KIM S, MO S M, KIM S J, CHENG M

Method for analyzing extreme super-thin film graphene by using X-ray, involves placing sample in floor, and providing X-ray analysis equipment with detecting apparatus for detecting diffracted or reflected X-ray irradiated in sample.

SEUNG H H

Preparation of sulfonated graphene used for e.g. transparent electroconductive electrode and thermal conductive material, involves contacting reaction medium containing oxidative sulfonating agent with organic material, and heating.

HAO J, JIANG Y, LI J