国家/地区 韩国（47）
IPC部 C（47）
IPC大类 C01（40） H01（24） C08（12）
B01（9） B82（8） C23（8）
C09（7） C07（5） B32（3）
A61（2） B29（2） C04（2）
C12（2） C25（2） C30（2）
IPC小类 C01B（40） H01L（15） C08K（10）
B82Y（8） C08L（8） C23C（8）
H01B（8） H01M（8） B01J（6）
B01D（4） C08J（4） C09D（4）
B32B（3） C07C（3） C09C（3）
IPC C01B031/04（33） C01B031/02（12） C01B032/182（11）
C08K003/04（10） B82Y040/00（8） B82Y030/00（7）
C01B032/194（7） H01B001/04（7） H01M004/62（7）
C01B032/184（6） H01M010/052（6） H01L029/16（5）
H01M004/36（5） C01B032/15（4） C01B032/18（4）
发明人 LEE J（4） PARK H（4） BAEK J（3）
JEON I（3） JONG B B（3） KIM H（3）
YUP J（3） HO B P（2） KIM H W（2）
LEE B H（2） LEE C（2） LEE S K（2）
LEE Y T（2） MIN D H（2） PARK D（2）
公开年 2015（47）
申请年 2015（47）
专利权人 UNIV SEOUL N.（4） GWANGJU INST.（3） SAMSUNG ELEC.（3） UNIST ACADIN.（3）
UNIV HANYANG.（3） UNIV HANYANG.（3） JINAN SHENGQ.（2） JINAN SHENGQ.（2）
LEE C（2） LEE J（2） LEE Y T（2） LG CHEM LTD（2）
PARK D I（2） UNIST ULSAN .（2） UNIV HANYANG.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Composite used as electrochemically active material for forming electrode of lithium battery, field-emission device, biosensor, semiconductor device and thermoelectric device, comprises silicon dioxide in graphene matrix.

SON I, PARK J, CHANG J, KU J, LI X, CHOI J, SON I H, PARK J H, CHANG J J, KU J H, LI X S, CHOI J M

Preparation of carbon sheets used in e.g. electronic devices, involves growing graphene nanopowder comprised in graphene seed layer into carbon sheet comprising single layered graphene sheet of preset length and graphite sheet.

LEE J, PARK Y, CHOI W, LEE J K, PARK Y S, CHOI W K

Method of manufacturing graphene layer on substrate, involves laminating metalized graphene layer to second substrate.

LIPOMI D J, ZARETSKI A, LIPOMI D

Manufacture of stretchable conductive material, involves coagulating graphene form powder dispersed solution, after coating polymer having elasticity on dried graphene form powder.

HA J S, RA J Y, HEUN P

Nitrogen-doped graphene coated nano-sulfur anode composite material, used in making lithium-sulfur batteries, comprises three-dimensional conductive network formed by nitrogen-doped graphene, and nitrogen-doped graphene sheets.

HOU Y, LI G, LI H, LI W, LIU M, QIU Y, YE F, ZHANG Y, ZHOU L

Graphene structure for electronic component e.g. transistor, comprises two-dimensional base graphene layer having defect, and linking material formed at defect of base graphene layer.

SUNG M, KIM S, MO S M, KIM S J, CHENG M

Preparation of sulfonated graphene used for e.g. transparent electroconductive electrode and thermal conductive material, involves contacting reaction medium containing oxidative sulfonating agent with organic material, and heating.

HAO J, JIANG Y, LI J

Making graphene used to form electrical or thermal conductor comprises exfoliating or transferring graphite material onto structure to form graphene particles, releasing graphene particles and combining graphene particles to form graphene.

PARK D I, PARK D

New ortho-terphenyl derivatives used for preparing graphene nanoribbons for thin film semiconductor for use in optical device, such as organic field effect transistor device, organic photovoltaic device or organic light-emitting diode.

SCHWAB M G, MULLEN K, FENG X, DUMSLAFF T, RUFFIEUX P, FASEL R, MUELLEN K

Detecting nucleic acid e.g. DNA, by preparing sample comprising target nucleic acid, adding and mixing complementary peptide nucleic acid probe to sample containing fluorescent substance, and adding oxidized graphene to mixture.

MIN D H, LEE J