国家/地区 台湾（52）
IPC部 C（52）
IPC大类 C01（52） H01（25） B82（15）
B01（12） C09（9） C23（9）
B32（8） C07（8） C08（8）
C25（6） H05（5） C04（4）
B05（3） B29（3） B33（2）
IPC小类 C01B（52）
IPC C01B031/04（52）
发明人 HSIEH C（7） MUELLEN K（7） WU M Y（7）
WU Y（7） XIE C（7） CHEN J（6）
HSIEH C Y（6） SCHWAB M G（6） CHEN J R（4）
CHEN T（4） FENG X（4） HSIEH S（4）
HSIEH S L（4） LEE J（4） MULLEN K（4）
公开年 2015（52）
申请年 2014（32）  2013（11）  2015（8） 
专利权人 BASF SE（8） ANJU SCI TE.（7） ENERAGE INC（7） MAX PLANCK G.（7）
BASF CHINA C.（3） CHEN J（3） GRAPHENE PLA.（3） HANWHA CHEM .（3）
HSIEH C（3） WU M Y（3） BEIJING XICH.（2） CHINESE ACAD.（2）
CORNING INC（2） GRAPHENE PLA.（2） HSIEH S（2） LG CHEM CO L.（2）
LG CHEM LTD（2） NINGBO INST .（2） NINGBO MORSH.（2） NITRONIX NAN.（2）

Graphene polymer composite material used in electronic technologies e.g. semiconductor, comprises nano graphene sheet(s) dispersed in matrix resin and in contact with each other through filler, in specific weight ratio.

WU M Y, HSIEH C, CHEN J, HSIEH S, XIE S, WU Y, XIE C, HSIEH C Y, CHEN J R, HSIEH S L

New ortho-terphenyl derivatives used for preparing graphene nanoribbons for thin film semiconductor for use in optical device, such as organic field effect transistor device, organic photovoltaic device or organic light-emitting diode.

SCHWAB M G, MULLEN K, FENG X, DUMSLAFF T, RUFFIEUX P, FASEL R, MUELLEN K

Method for manufacturing non-oxidized graphene.

CHEN I, CHEN I W

Graphene composite, method for producing graphene composite and electrode for lithium ion battery containing graphene composite.

DU N, WANG J, SUN P, TAMAKI E, KUBOTA Y, MIYAZONO K

Preparation of graphene used as exciting material, involves thermally pretreating substrate in chemical deposition chamber using gaseous or supercritical oxidant, and preparing graphene on pre-treated surface by chemical deposition.

STRUDWICK A, SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, WEBER N, BINDER A, MULLEN K, STRUDWICK A J, WEBER N E

Graphene composite powder material is obtained by mixing graphene powder material having specified apparent density and polymer.

LIU Z, QING Z, TANG C, ZHAO Y, ZHOU X, HU J, QIN Z, WANG G

Manufacturing graphene film involves providing substrate, distributing graphene slurry on substrate, causing graphene slurry to distribute on substrate, and treating graphene slurry with atmosphere pressure plasma jet.

CHENG I, CHEN J, HSU C, CHOU P, LIU H, CHANG H, LIANG S, WU T, CHENG I C, CHEN J Z, HSU C C, CHOU P T, LIU H W, LIANG S P, WU T J

Graphene dissipation structure for e.g. heat dissipation devices, has substrate containing surfaces, and graphene dissipation layer containing surface-modified graphene nano sheets, carrier resin and filler, in specified weight ratio.

WU M Y, HSIEH C, CHEN J, HSIEH S, LI K, XIE S, WU Y, XIE C, LI G, HSIEH C Y, CHEN J R, HSIEH S L, LI K T

Method for controllable layer-by-layer removal of graphene layer, involves providing layer of graphene, providing highly graphene-oxidizing agent in hermetic environment and providing heating source for heating graphene layer.

CHEN W, HSU W, TENG P, CHIU P, HSU W J, TENG P Y, CHIU P W

Use of electrochemical capacitor consisting of electrochemically exfoliated graphene, for alternating current (AC) line filter.

VENKATARAMAN S, KURKINA T, NATHANWALLESER T, SCHWAB M, MUELLEN K, VENKATARAMAN S S, SCHWAB M G