国家/地区 台湾（24）
IPC部 H（21） B（16） C（16）
G（3）
IPC大类 H01（21） B82（14） C01（13）
C23（9） B32（6） B05（5）
C30（3） B01（2） C08（2）
C09（2） C25（2） G01（2）
IPC小类 B82Y（13） C01B（13） H01L（13）
C23C（8） H01B（8） B32B（6）
B05D（5） B82B（3） C30B（3）
H01M（3） B01J（2） C08K（2）
C08L（2）
IPC C01B031/04（11） B82Y030/00（10） B82Y040/00（9）
C01B031/02（8） H01L029/16（6） H01B001/04（5）
H01L051/05（5） B32B009/00（4） H01L021/336（4）
H01L021/768（4） H01L029/06（4） H01L029/786（4）
H01L051/30（4） B05D005/12（3） B82B003/00（3）
发明人 VEERASAMY V（4） VEERASAMY V S（4） FAN S（2）
FENG X（2） GER M（2） GER M D（2）
IVANOVICI S（2） JIANG K（2） LIN Y（2）
LIN Y M（2） LOLLI G（2） MLECZKO L（2）
MUELLEN K（2） MULLEN K（2） PU N（2）
公开年 2011（24）
申请年 2010（12）  2009（8）  2011（4） 
专利权人 INT BUSINESS.（5） GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4）
IBM UK LTD（4） BASF SE（2） BAYER TECHNO.（2） HON HAI PREC.（2）
MAX PLANCK G.（2） MAXPLANCKGES.（2） VEERASAMY V .（2） WANG W（2）

Preparing graphite-vinyl ester resin composite conducting plate reinforced by functionalized graphene, comprises compounding vinyl ester resin and graphite powder, adding functionalized graphene and molding.

MA C M, HSIAO M, LIAO S, YEN M, GER M, WANG C, PU N, SUNG Y, TENG C, LEE S, MA M C, MA C C M, HSIAO M C, LIAO S H, YEN M Y, GER M D, WANG C A, PU N W, TENG C C, LEE S H, HSIAO M H

Apparatus for sensing photons comprises photon sensing layers, which consists of graphene, arranged on top of each other and intermediate layer between each adjacent sensing layers.

VOUTILAINEN M, ROUVALA M, PASANEN P

FET formation by depositing channel material comprising graphene or nanostructure on substrate, depositing contact material over channel material, gate, and spacers, and patterning contact material to form self-aligned contact for FET.

CHANG J, LAUER I, SLEIGHT J, CHANG J B

Method for manufacturing graphene.

PU N, WANG C, SUNG Y, GER M, PU N W, WANG C A, GER M D

Heat dissipation device of electronic/photoelectric element using binding adhesive comprising at least resin and graphene or resin and carbon nanotube between an electronic/photoelectric element and a soaking block.

WANG W

Method for depositing graphene on substrate for semiconductor device, involves heating substrate in chemical vapor deposition chamber and flowing carbon precursor into chamber.

PADHI D, JANZEN J, SHAIKH S, KIM B, CHIN B, KIM B H

Nanoparticles, useful in electrochemical cells and supercapacitors for storing and/or releasing lithium ions, comprise component A of metals, semimetals, metal compounds or semimetal compounds e.g. lithium cobalt oxide, and graphene coating.

IVANOVICI S, YANG S, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K

Semiconductor device has complementary metal oxide semiconductor device layer that is in contact with source and drain, and gate are that connected to graphene channel respectively.

CHEN K, LIN Y, AVOURIS P, FARMER D B, FARMER D, CHEN K N, LIN Y M, KUANNENG C, YUMING L

Producing two-dimensional nanomaterials comprises e.g. providing a mixture comprising e.g. graphene oxide particles and water, adding a sol precursor compound to the mixture, and reacting the mixture in a sol/gel process to form gel.

FENG X, IVANOVICI S, MUELLEN K, YANG S, MULLEN K

Three-dimensional integrated circuit (IC) structure for electronic application, has upper active devices that are formed using upper graphene layer formed over insulating layer, and interconnected with lower active devices.

GUO D, HAN S, LIN C, SU N, HEN S, HAN S J, LIN C H