国家/地区 美国（74）
IPC部 C（74）
IPC大类 C30（74） H01（74） C01（53）
C23（32） B82（31） B32（16）
B05（8） B01（5） C07（3）
C25（3） H05（3） B81（2）
C03（2） C09（2） G01（2）
IPC小类 C30B（74）
IPC C30B029/02（39） C01B031/04（31） B82Y040/00（29）
H01L021/02（28） C30B025/18（24） B82Y030/00（22）
H01L029/16（20） C01B031/02（18） C23C016/26（14）
H01L021/20（13） C01B032/184（11） C23C016/02（11）
C01B032/186（10） H01B001/04（10） C23C016/34（9）
发明人 JANG B Z（4） VEERASAMY V S（4） BERRY V（3）
FAN S（3） KIM J（3） MIWA T（3）
MOMO J（3） NOMOTO K（3） SEACRIST M R（3）
VEERASAMY V（3） WEI Y（3） AHMED M（2）
FAN F Y（2） FIMLAND B M（2） GI Y（2）
公开年 2013（13） 2021（11） 2014（10） 2016（7） 2011（6） 2015（6） 2017（5） 2012（4） 2009（3） 2018（3） 2020（3）
申请年 2012（13）  2013（10）  2014（7）  2016（7）  2009（6）  2020（6）  2015（5）  2017（4）  2019（4）  2021（4）  2011（3）  2010（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（4） NANOTEK INST.（4） GLOBAL GRAPH.（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） HON HAI PREC.（3） HONGFUJIN PR.（3） SAMSUNG ELEC.（3）
SEMICONDUCTO.（3） SUNEDISON SE.（3） UNIV KANSAS .（3） UNIV TSINGHU.（3）
CRAYONANO AS（2） INT BUSINESS.（2） KELBER J（2） MASSACHUSETT.（2）
MAX PLANCK G.（2） MEMC ELECTRO.（2） SAMSUNG TECH.（2） UNIV GRIFFIT.（2）

Upper electrode assembly used in plasma processing apparatus, has heat transfer sheet that is mounted between electrode plate and metal plate and having vertically oriented portion with vertically oriented graphene structures.

TSUJIMOTO H, KOBUNE T, LI L, LEE L, KOBUNEDAKAKI

Production of transition metal dichalcogenide-graphene heterojunction composite involves transferring graphene onto flexible substrate, depositing transition metal layer on substrate, and injecting gas containing plasma-treated sulfur.

KIM H U, SEOK H, LEE J, KIM T, KIM T S, SEOK H H, WOO K H

Fuel cell e.g. proton exchange membrane fuel cell, comprises core-shell nanostructure comprising palladium nano-substrate having cubic shape coated with uniform atomic overlayers of epitaxially deposited zero-valent platinum atoms.

ZHANG L, PARK J, WANG X, CHOI S, XIE S, XIA Y

Fabricating single-crystalline ionically conductive materials for electrochemical cell by forming material on two-dimensional material over growth substrate and removing single-crystalline ionically conductive material from substrate.

KIM J, KONG W, BAE S, KONG L, KUM H, SHAOHORN Y, YU Y

Fabrication of graphene used for electrode of e.g. sandwich-style capacitor, involves providing patterned substrate, depositing graphene oxide on patterned substrate, and reducing graphene oxide to graphene.

CHAICHI A, GARTIA M R

Phonovoltaic cell used as part of phonovoltaic pile of contiguous phonovoltaic cell comprises first and second conductor layer, first boron layer in contact with the first conductor layer, second boron layer in contact with the second boron layer.

CURRAN P

Composition of matter for light-emitting diode or photodetector device, has nanowires or nanopyramids that are epitaxially grown on graphene layer, and graphene layer is directly supported on crystalline substrate.

MUNSHI M, WEMAN H, FIMLAND B M, PIMLANDBOERNOBEEM

Fabricating perovskite device, involves providing metal substrate, forming self-assembled molecular monolayer on top of metal substrate, and forming perovskite material on top of self-assembled molecular monolayer.

HAMOUDI H, BERDIYOROV G

Fabricating hexagonal boron nitride comprises placing catalytic metal having hexagonal crystal structure and lattice mismatch with hexagonal boron nitride in chamber and growing hexagonal boron nitride on the catalytic metal while supplying nitrogen source and boron source into the chamber.

LEE C, SHIN H, HONG S, MA K, LEE C S, SUK S H, SHIN H J, LI C, SHEN X

System for growing crystalline material, has optical emission spectrometer (OES) that controls parameter in closed loop and maintains required proposition of plasma constituent for growth of crystalline materials in microwave plasma reactor.

SHARDA T, BHANDARI R, RAJNEESH B, TARUN S