国家/地区 世界知识产权组织（46）
IPC部 H（25） C（24） B（11）
G（8） A（2） D（2）
F（2）
IPC大类 H01（23） C01（14） C09（8）
B01（5） H05（5） B82（4）
C25（4） G01（4） B32（3）
C08（3） C23（3） G02（3）
A61（2） D06（2）
IPC小类 C01B（14） H01M（12） H01L（9）
C09D（7） H01B（6） B01J（4）
B82Y（4） C25B（4） G01N（4）
B32B（3） C23C（3） G02F（3）
H05K（3） C08L（2）
IPC H01M004/62（7） C01B031/04（5） C01B032/19（5）
H01M010/0525（5） B82Y040/00（4） C01B032/182（4）
H01M004/13（4） H01M004/36（4） H01M004/58（4）
B82Y030/00（3） C01B032/184（3） C01B032/194（3）
C09D005/24（3） C25B001/04（3） H01B001/04（3）
发明人 WANG J（46）
公开年 2022（10） 2021（8） 2017（7） 2015（5） 2014（3） 2023（3） 2011（2） 2012（2） 2016（2） 2018（2）
申请年 2021（13）  2016（7）  2020（6）  2014（4）  2011（3）  2015（3）  2017（3）  2013（2）  2019（2） 
专利权人 SUZHOU CSTAR.（4） WANG J（3） BOSCH GMBH R.（2） GUANGDONG NA.（2）
GUANGDONG NA.（2） HUAWEI TECHN.（2） SUZHOU CSTAR.（2） UNIV CALIFOR.（2）
UNIV SHANGHA.（2） ZTE CORP（2）

High temperature furnace tube for use in semiconductor process, has supporting plate distributed with multiple layers for supporting multiple substrates, where each substrate is placed on each layer of supporting plate.

WANG H, ZHANG S, SHEN H, LV C, ZHOU D, KIM J, PARK J S, WANG J, JIA S, ZHANG X, KIM Y

Cold source diode used for controlling conduction between word line and bit line of memory, comprises substrate and PN junction comprising semiconductor layers, and metal layer stacked on substrate in sequence.

HOU Z, ZHANG Q, WANG J, DONG Y, XU J J

Cathode active material useful in secondary battery of an electric device, comprises silicon oxide particles, where bulk phase of silicon oxide particle comprises conductive components.

WANG J, LV Z

Packaging film used in packaging structure of photoelectric device, comprises basic unit or stacked basic unit comprising inorganic sequentially of laminated set, nano-structure array and organic layer.

WANG J, YANG Y

Cathode pre-lithiation reagent for use in lithium-ion battery, comprises core particle comprising lithium nitride, and passivation coating uniformly disposed on portion of surface of the core particle.

YU T, WANG J, ZUO W, WHITAKER C, HU S, MAXWELL D, ZHANG L

Processing semiconductor by generating plasma of carbon- and hydrogen-containing precursors, forming layer of graphene on substrate, and halting flow of carbon-containing precursor while maintaining plasma with hydrogen-containing precursor.

INGLE N K, MALLICK A B, SINGHA R S, WANG J, ROY S S

Graphene heating ink useful for applying on electric heating film comprises graphene, organic polymer, polysilazane, crosslinking agent, and silicon-containing dispersant, thickener, and solvent as auxiliary agents.

LIN H, CHENG S, WANG J, LI L, LI F

Preparing highly conductive ink useful for graphene-based radio-frequency identification (RFID) electronic tag by e.g. mixing graphene powder with water, dispersing and peeling, evaporating water and organic solvent and mixing the slurry.

LIN H, CHENG S, WANG J, LI L, LI F

Transfer of epitaxy-enabled substrate in manufacture of article, involves performing selective-area epitaxy operation(s) of single crystalline material on mask-patterned substrate and create repeating units, epitaxially growing transfer substrate, and separating transfer substrate.

WANG J, XIE Y, AMANO H

Preparing biomass based single-atom iron with nitrogen-doped graphene/nanocarbon fiber axial composite material, comprises e.g. adsorbing iron-containing compound on biomass based surface, and preparing iron salt-bacterial cellulose.

XIAO L, WANG J, CUI D