国家/地区 中国（87）
IPC部 B（87）
IPC大类 C01（87） B82（77） H01（24）
B01（13） B32（10） C23（10）
C08（9） B05（7） C25（6）
C07（5） B22（4） C02（3）
B21（2） B44（2） C09（2）
IPC小类 C01B（87）
IPC C01B031/04（75） B82Y030/00（55） B82Y040/00（45）
C01B031/02（33） H01B001/04（9） B82B003/00（6）
C01B032/182（6） C23C016/26（6） H01M004/62（6）
B32B009/00（5） C01B032/20（5） B01D071/02（4）
B05D005/12（4） B22F009/24（4） C01B032/184（4）
发明人 WANG Y（10） FAN S（8） JIANG K（7）
LIN X（7） ZHOU M（5） LI J（4）
LI W（4） LI Y（4） MILLER S A（4）
NOMOTO K（4） SUN W（4） BANDO M（3）
FENG X（3） GUO J（3） GUO J W（3）
公开年 2013（87）
申请年 2012（87）
专利权人 UNIV TSINGHU.（12） HON HAI PREC.（11） HONGFUJIN PR.（11） SEMICONDUCTO.（5）
EMPIRE TECHN.（4） ISLAND GIANT.（4） OCEAN S KING.（4） BASF AG（3）
BASF SE（3） SHENZHEN OCE.（3） SONY CORP（3） BASF CHINA C.（2）
CHINESE ACAD.（2） CHINESE ACAD.（2） JX NIPPON MI.（2） LOCKHEED COR.（2）
LOCKHEED MAR.（2） MAX PLANCK G.（2） NIPPON MININ.（2） NIPPON MININ.（2）

Preparation of boron-doped graphene by oxidizing graphite to obtain graphite oxide, heating under mixed inert and boron source gases atmosphere protection, and cooling.

WANG Y, ZHONG H, ZHOU M

Manufacture of graphene nano belt involves adding carbon nanotube to strong acid, refluxing, washing with deionized water, filtering, adding carbon nanotube and deionized water in container, crushing, washing filtering and drying.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M

Preparation of graphene nanoribbon by mixing carbon nanotubes and acid solution, refluxing, removing carbon nanotubes, washing with deionized water, soaking in alkaline solution, heating, and repeating removing, washing, and soaking steps.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M

Epitaxial structure used in light emitting device e.g. LED based on group III-V nitride semiconductor e.g. gallium nitride, comprises substrate, epitaxial layer disposed on substrate, and graphene layer disposed between substrate and layer.

WEI Y, FAN S

Forming graphene-like material or graphene used in nanofluids comprises forming polycyclic aromatic hydrocarbon (PAH) liquid solution, forming layer of PAH solution on surface of layer of water and evaporating solvent from layer of solution.

XIAO X, LIU Z

Preparation of nitrogen-doped graphene involves adding graphene oxide and surfactant in ether solvent, stirring, volatilizing solvent, placing in inert gas and ammonia gas mixture, heating, and cooling.

WANG Y, ZHONG H, ZHOU M

Making strip shaped graphene layer used on semiconductor devices involves providing graphene film on metal substrate; adhering nanotube structure with strip-shaped gap on graphene film; applying voltage to nanotube graphene structure.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer involves disposing carbon nanotube structure comprising drawn carbon nanotube film including carbon nanotubes on graphene film; removing graphene film and carbon nanotube structure.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer involves providing graphene film on surface of substrate; drawing carbon nanotube film comprising carbon nanotube segments; disposing carbon nanotube composite on the film; applying voltage; and etching.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer used as conductive layer in semiconductive device, comprises making drawn carbon nanotube film, disposing carbon nanotube composite, removing polymer material and etching nanotube segment and graphene film.

LIN X, JIANG K, FAN S