国家/地区 美国（23） 中国（17） 韩国（15） 世界知识产权组织（12） 日本（9） 欧洲专利局（EPO）（6） 台湾（5） 印度（2） 新加坡（2）
IPC部 B（37）
IPC大类 B32（37）
IPC小类 B32B（37） C01B（21） H01L（12）
C08K（10） C08L（10） B82Y（9）
C08J（7） H01B（7） C23C（6）
B05D（4） H05K（4） B29C（3）
B41M（2） B44C（2） C08G（2）
IPC B32B009/00（15） C01B031/04（15） C01B031/02（12）
B82Y040/00（9） B32B009/04（7） C08K003/04（7）
B32B027/06（6） B82Y030/00（6） B32B027/04（5）
B32B007/02（4） B32B015/08（4） B32B027/32（4）
B32B038/10（4） C01B032/184（4） C08L063/00（4）
发明人 BAIK S H（2） CHAI S（2） CHOI J（2）
HAN S H（2） HONG S H（2） KIM H K（2）
KIM W Y（2） LEE S H（2） RYU C J（2）
SU X（2） YANG W S（2）
公开年 2014（37）
申请年 2013（37）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（4） UNIV SUNGKYU.（3） GUANGDONG SH.（2） KOREA ELECTR.（2）
SEKISUI CHEM.（2） SEKISUI CHEM.（2）

Material useful in electric device, comprises reduced graphene oxide, where degree of reduction of graphene oxide exhibits spatial variation so that material exhibits gradient in electric conductivity and/or permittivity.

LOGAKIS E, SKORDOS A, CHATZI P

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Solid-state device structure for separating and isolating graphene monolayer, has single crystalline monolayer of graphene that is arranged on substrate by single transfer process and has surface area of greater than specific inches.

DIMITRAKOPOULOS C D, FOGEL K E, KIM J, PARK H

Barrier film composite comprises a first barrier layer including inorganic material, a second barrier layer comprising organic polymer material, a graphene layer, and a doped polymer layer including a organic dopant, which are laminated.

HAN S H, KIM H K, YANG W S

Carbon material used for forming structure, comprises nanocarbon, graphene, or graphite, and has structure in which nanocarbon, graphene, or graphite are integrated through covalent bond between carbon-carbon, or van der Waals binding.

HIURA H, TSUKAGOSHI K

Manufacturing graphene-based laminate involves coating graphene on metal substrate, forming transparent conductive layer and hardened layer, curing hardened layer by UV radiation, and removing metal substrate.

HAN S H, KIM H K, YANG W S

Transferring graphene to fabricate graphene dual junction diode involves forming graphene layer by composing graphene and base layer; depositing self-assembled monolayer and separating combination layer of monolayer/graphene from base layer.

CHOI J S, YU Y, KIM J T, CHUNG K H, YOUN D H, CHOI C G, YU Y J

Manufacture of graphene laminated structure used for electronic device, involves plasma-treating surface of hexagonal boron nitride sheet, depositing hexagonal boron nitride sheet on graphene sheet, and forming insulating layer.

KIM S, HAN S, HAN S A, KIM S W

Composite laminated structure useful for producing thermoelectric material for thermoelectric element of thermoelectric module for e.g. waste heat development and thermal nuclear development, comprises graphene and thermal mineral.

BAIK S H, HONG S H, KIM W Y, LEE S H, RYU C J

Composite laminate for thermoelectric laminate used in thermoelectric device, comprises graphene and thermoelectric inorganic material containing single crystal having hexagonal crystal system.

RYU C, HONG S, KIM W, BAIK S, LEE S, CHOI J, BAIK S H, HONG S H, KIM W Y, LEE S H, RYU C J