国家/地区 韩国（67）
IPC部 C（43） H（39） B（22）
G（15） D（6） A（4）
IPC大类 C01（37） H01（36） B82（11）
C08（11） G01（11） C09（8）
B01（6） C23（5） C25（5）
D01（5） B29（4） A61（3）
G06（3） H05（3） B32（2）
IPC小类 C01B（36） H01L（16） H01M（14）
B82Y（10） G01N（9） C08K（7）
C08L（7） C23C（5） D01F（5）
B01J（4） C08J（4） C09D（4）
H01B（4） B01D（3） B29C（3）
IPC C01B032/182（26） C01B031/04（15） B82Y030/00（10）
H01L029/16（10） B82Y040/00（7） C01B032/184（6）
C01B032/194（6） H01M004/587（6） H01M010/052（6）
C01B032/198（5） C08K003/04（5） D01F009/12（5）
H01L021/02（5） H01M004/62（5） C01B032/19（4）
发明人 GOLDSMITH B（4） PAN D（4） KIM S（3）
PARK H（3） SONG K（3） TAE H H（3）
CHEN Z（2） CHO K R（2） CHO Y J（2）
CHOI J（2） CHOI S H（2） EOM W（2）
HAN S H（2） JO T（2） JO T J（2）
公开年 2017（67）
申请年 2017（67）
专利权人 UNIV HANYANG.（6） GWANGJU INST.（4） LG CHEM LTD（4） NANOMEDICAL .（4）
TORAY IND IN.（3） AICT（2） GREEN NANOTE.（2） ILJIN MATERI.（2）
KOREA ELECTR.（2） LG CHEM CO L.（2） PURITECH CO .（2） QI K Z（2）
SAMSUNG ELEC.（2） UNIV HANYANG.（2） UNIV SEOUL N.（2） ZENG T（2）

Graphene oxide surface-modified metal nanorod cluster for surface enrichment Raman scattering (SERS) base biosensing or the bioimage measurement, comprises a electronegative charge polymer and a temperature-responsive polymer.

LIM D W, ALI A, CHOO J B, KANG H K

Method for manufacturing cathode material, involves preparing graphene oxide, where graphene oxide and silicon alloy are added without use of dissimilar solvent in water, and graphene is returned for unit of graphene oxide.

GOVINDARAJ K A, KIM S H, WON K D, YANG H S, KIM D W, KANNAN A G

Graphene composite electrode used for manufacturing electrochromic device, consists of graphene layer, atomic layer formed on graphene layer, and transparent conductive layer formed on atomic layer.

KIM H K, KIM Y K, HAN S H, LEE S J, SEO J W

Manufacture of electrochromic device used as e.g. smart window, involves growing graphene on substrate, performing atomic layer deposition process on graphene layer, forming atomic layer, and forming conductive layer on atomic layer.

KIM H K, KIM Y K, HAN S H, LEE S J, SEO J W

Patterning method for graphene involves depositing photoresist layer on metal layer, and etching pattern on photoresist layer to expose metal layer.

PAN D, GOLDSMITH B

FET e.g. graphene based FET, for use in implants, has polar fluid induced gate terminal created by polar fluid, where polar fluid includes charge concentration sufficient to induce polar fluid gate voltage that optimizes gate voltage.

GALAND A, GUDIBANDE R R, RADHAKRISHNAN S, VORA M

Method for transferring graphene from surface of substrate to other substrate, involves affixing growth substrate onto surface of transitory substrate, delaminating graphene layer from substrate, and transferring layer onto target surface.

LERNER M, PAN D, GOLDSMITH B, AFSAHI S J

Method for providing temporary layer on graphene sheet, involves depositing metal layer to first surface of graphene sheet and removing metal layer.

PAN D, GOLDSMITH B

Non-volatile memory device e.g. NOT-AND (NAND) Flash, has resistance layer including stack of graphene oxide film and iron oxide film, in which resistance value of resistance layer varies based on voltage applied to upper electrode.

JANG J H, ANOOP R, OH S I, RANI A

Method for producing graphene well on graphene sheet, involves depositing first metal layer on top of graphene sheet, depositing passivation layer on top of first metal layer, and depositing photoresist layer on top of passivation layer.

PAN D, GOLDSMITH B, LERNER M