国家/地区 美国（34） 韩国（28） 中国（9） 欧洲专利局（EPO）（6） 日本（2）
IPC部 H（35） C（14） B（10）
G（8）
IPC大类 H01（35） C23（8） B82（5）
C01（4） C09（4） B24（3）
G01（3） G02（3） G11（3）
B29（2） C08（2） G06（2）
IPC小类 H01L（34） C23C（8） B82Y（5）
C01B（4） B24B（3） C09G（3）
C09K（3） G11C（3） C08K（2）
G02F（2） H01B（2） H01M（2）
IPC H01L021/02（11） H01L029/16（9） C23C016/02（7）
H01L021/768（6） C23C016/26（5） C01B032/186（4）
H01L021/285（4） H01L023/532（4） H01L045/00（4）
B82Y030/00（3） B82Y040/00（3） C23C016/50（3）
C23C016/56（3） G11C013/00（3） H01L021/304（3）
发明人 SHIN H（16） SHIN H J（11） SHIN K（7）
BYUN K（6） BYUN K E（6） KIM H（6）
LEE C（6） SHIN K W（6） CHO Y（5）
LEE C S（5） LEE E（5） KIM C（4）
LEE J（4） LEE M（4） PARK S（4）
公开年 2021（29） 2020（8）
申请年 2020（38）
专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD（38）

Vertical variable resistance memory device has pillar structure that is extended in first direction on substrate and penetrating gate electrodes and first insulating patterns, and variable resistance pattern that is formed on sidewall of vertical electrode.

KIM H C, KIM Y, SEO H W, RYU S, LEE K H, HONG J, LI J, YU S, XU H, JIN R, KIM H

Growing two-dimensional transition metal chalcogenide film for manufacturing e.g. diode, involves placing patterned metal layer on substrate surface, supplying chalcogen precursor and transition metal precursor to chamber, and evacuating.

LEE E, AHN W, KIM H, LEE H, LEE H S, KIM H S, AHN W S, HA L

Sensor array used for motion sensor device, comprises unit element groups comprising pressure sensor, light emitting element, and light detecting element, where pressure sensor comprises variable resistance layer comprising stretchable polymer and conductive nanostructures.

HAHM S G, YUN Y, JUNG J, YOUNG J

Semiconductor device e.g. NAND flash memory device, has gate layers stacked in vertical direction perpendicular to upper surface of substrate and spaced apart from each other on pattern layer, and memory vertical structure penetrating through gate layers in direction.

YANG H, KANG S

Two-dimensional (2D) material-based wiring conductive layer contact structure used in 2D material-based FET, comprises semiconducting 2D material wiring, conductive layer, and metallic 2D material layer in contact with semiconducting 2D material wiring and conductive layer.

LEE M, YOO M, SHIN H, SEOL M, SHIN H J, YOO M S, HYUN L

Removing contaminant involves using a material comprising an adsorption material for adsorption of contaminant and decomposition material for decomposition of contaminant.

YANG D, KWON H, LEE H C, JI S, CHI X, LEE H, LIANG D, JI S M, JAE K, YANG T S

Semiconductor device i.e. fin FET, for use in e.g. memories, has channel layer formed on gate dielectric and comprising two-dimensional semiconductor material, and source electrode and drain electrode electrically connected to channel layer.

LEE M, SEOL M, CHO Y, SHIN H

Method to fabricate nanostructures useful in lens, comprises spin coating charged electrostatic layer onto substrate, depositing charged colloidal solution from the electrostatic layer, applying mask layer, etching the substrate and electrostatic layer, depositing biocompatible layer and de-molding.

BOJANCZYK K, CHOO H, NARASIMHAN V, SIDDIQUE R H, CHU H

Josephson junction device used as qubit in superconductivity-based quantum system, comprises planar arrangement comprising two-dimensional material layers forming junctions in preset distance to cause Josephson effect, and graphene layer.

KWON H, LEE J, LEE J H, SIN K H

Light detecting device for use in optical system, has graphene layer for absorbing portions of light transmitted in waveguides, and first electrode and second electrode electrically connected to graphene layer, respectively.

LEE E, CHOI B, GU T, WHANG D