国家/地区 中国（93） 美国（22） 世界知识产权组织（16） 韩国（14） 日本（13） 台湾（7） 澳大利亚（6） 欧洲专利局（EPO）（5） 英国（3） 德国（2）
IPC部 C（144） H（38） B（30）
G（15） F（4） D（3）
IPC大类 C01（144） C23（38） H01（34）
B82（17） C30（11） B01（10）
G01（9） C09（7） B32（4）
H05（4） C02（3） C08（3）
C25（3） G02（3） B33（2）
IPC小类 C01B（144）
IPC C01B032/186（144）
发明人 LI J（6） LI X（6） WANG X（6）
ZHANG Q（6） LIU Z（5） WANG C（5）
WANG W（5） CAI J（4） CHEN J（4）
LI G（4） LI Y（4） QING F（4）
XU S（4） ZHANG J（4） BYUN K（3）
公开年 2021（82） 2022（54） 2023（8）
申请年 2021（144）
专利权人 UNIV CHINA E.（6） BEIJING GRAP.（4） GUANGDONG MO.（4） SAMSUNG ELEC.（4）
UNIV PEKING（4） UNIV SOUTHWE.（4） FUJITSU LTD（3） PARAGRAF LTD（3）
SHANGHAI INS.（3） TOKYO ELECTR.（3） APPLIED MATE.（2） CALIFORNIA I.（2）
CHONGQING GR.（2） INST METAL R.（2） NAT INST ADV.（2） NINGBO INST .（2）
SUN H（2） UNIV CHINA P.（2） UNIV NANCHAN.（2） UNIV NORTHWE.（2）

Method for fabricating two-dimensional channel transistor involves growing hexagonal-boron nitride layer on substrate, selectively etching hexagonal-boron nitride layer by exposing hexagonal-boron nitride layer to sulfur hexafluoride plasma gas, and treating etched layer in potassium hydroxide.

SHRIVASTAVA M, RAWAT J S, MEERSHA A

Flexible graphene thin film used for transparent electrode devices, comprises flexible substrate, titanium buffer layer grown on one side of flexible substrate by sputtering and graphene thin film layer grown in-situ in same equipment.

YOON S G, IREH H

Method for preparing high quality large diameter and small layer graphene powder, involves generating air bubbles in system, and obtaining high quality large-diameter and small-layer graphene powder by adopting gas-solid separation.

XIE X, ZHAO Y, ZHOU W

Growing graphene layer structure on substrate used in opto-electronic device, e.g., solar cell, solar cell, light-emitting diode, organic light-emitting diode, electro-optic modulator, photodetector or diode, involves providing substrate on susceptor in chemical vapor deposition reaction chamber.

THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Use of nitrogen-doped graphene metal material in heat-conducting field where nitrogen-doped metal graphene comprises metal base material and nitrogen-doped graphene.

WU Q, MA Y

Producing multilayer graphene, involves synthesizing multilayer graphene from carbon source using iron-chromium alloy film as catalyst.

HAYASHI K, KONDO O

Electrical connection component for e.g. electric contact, comprises base material and nanocarbon material film composed of graphene laminated material formed by laminating two layers of graphene single layer materials.

KITANO A, SHIMIZU T, KUBO T

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Growing graphene nanoribbon involves depositing aromatic molecular seeds from gas phase onto surface of growth substrate, and growing graphene nanoribbon from aromatic molecular seeds via chemical vapor deposition, where growth substrate is germanium substrate.

JACOBBERGER R M, WAY A J, ARNOLD M S

Device used to produce carbon nanotubes, and graphene, comprises e.g. first chamber for cleaning substrate using plasma cleaning, second chamber for coating the substrate with accelerator fluid, and third chamber for growing carbon nanotubes.

JAKOBSEN M A, DATSYUK V, LIEHR M