国家/地区 美国（7） 中国（4） 台湾（4）
IPC部 H（7） G（3） C（2）
IPC大类 H01（7） G03（3） C23（2）
IPC小类 H01L（7） G03F（3） C23C（2）
IPC G03F001/62（3） H01L021/033（3） C23C014/16（2）
C23C014/18（2） C23C016/26（2） C23C028/00（2）
G03F001/22（2） G03F001/64（2） H01L021/768（2）
H01L023/522（2） H01L023/528（2） H01L023/532（2）
H01L029/16（2） H01L029/66（2）
发明人 CHEN C（2） LEE H（2） LI X（2）
LIN C（2） LIN Y（2） LIN Z（2）
TU C（2）
公开年 2018（7）
申请年 2016（3）  2017（3） 
专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MFG CO LTD（7）

Semiconductor device, has non-insulator structure formed in source/drain region or gate structure, carbon nano-tube placed over structure, dielectric layer surrounding nano-tube, and graphene-based conductive layer placed over nano-tube.

CHOU Y, CHUANG K, ZHOU Y, ZHUANG G

Method for providing uniform, large-area graphene by way of transfer-free, direct-growth process, involves performing annealing process serves to convert carbon-containing layer into carbon nanotube (CNT).

CHEN M, PAN S C, HSIEH C

Method for fabricating pellicle in semiconductor industry, involves performing etching process to rear surface of substrate to form pellicle including pellicle membrane that includes graphene layer while using first dielectric layer as mask.

LIN Y, CHEN H, LIN C, LEE H, KU Y, LO W, YEN A, CHIEN M, CHEN X, LIN Z, LI X, GU Y, LUO W, YAN T, LIN J, QIAN Z, CHIEN M Z

Semiconductor structure has graphene barrier layer formed on exposed surfaces of dielectric layer and having portion provided between conductive layer and dielectric layer.

YANG S, LEE M, SHUE S, LI M, SUI X

Method for forming e.g. transistor, involves performing anneal process, removing metal layer after performing anneal process, and etching graphene to define channel from graphene, where carbon layer is transformed into graphene.

LIN M, LIN S, LEE S

Method of making a pellicle for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography system, by depositing graphene layer over first material layer, and depositing amorphous silicon layer over graphene layer.

TU C, CHEN C, YOO C S, CHANG J, TSAI C, LIU P, LEE H, LIN C, LIN Y, TU Z, CHEN J, CAI J, YOU Q, ZHANG Z, LIN Z, LIU B, LI X, YOO C

Graphene pellicle method for extreme ultraviolet lithography, involves attaching carrier to graphene layer, removing substrate from first assembly, and removing first material layer from first assembly.

TU C, CHEN C