国家/地区 中国（58）
IPC部 H（26） C（25） G（10）
B（9） A（3） D（2）
IPC大类 H01（25） C01（16） B82（6）
G01（5） A61（3） B01（3）
C08（3） G02（3） C02（2）
C03（2） C09（2） G06（2）
IPC小类 C01B（16） H01L（13） B82Y（6）
H01G（5） G01N（4） H01B（4）
A61B（3） B01J（3） C08K（3）
H01M（3） C02F（2） C03C（2）
C08G（2） C08L（2） C09K（2）
IPC C01B031/04（13） B82Y040/00（5） H01B013/00（4）
A61B005/02（3） C01B032/184（3） C08K003/04（3）
H01B005/14（3） H01G011/36（3） H01G011/86（3）
H01L029/06（3） H01L029/16（3） H01L029/49（3）
B01J020/30（2） B82Y030/00（2） C01B032/198（2）
发明人 HUANG W（19） MA Y（9） MIN Y（9）
WANG L（7） WANG W（7） XIE L（7）
FAN Q（6） FENG X（6） WEI W（6）
CHEN J（5） MA C（5） FENG Y（4）
LV P（4） YI M（4） YU K（4）
公开年 2018（11） 2013（10） 2016（9） 2012（6） 2017（6） 2010（5） 2014（5） 2015（5）
申请年 2013（9）  2016（9）  2017（9）  2015（7）  2012（6）  2014（5）  2018（5）  2010（4）  2011（3） 
专利权人 UNIV NANJING POSTS TELECOM（58）

Graphene substrate terahertz-band transient electromagnetic characteristic determining method, involves establishing graphene substrate geometry model, and determining magnetic flux rate of electromagnetic property analyzing process.

WANG Q, SHI J, LIU H

Paper-based flexible graphene ultra capacitor preparing method, involves preparing paper-based flexible graphene electrode by adopting laser engraving technology, where electrode is packed into paper-based flexible graphene ultra capacitor.

ZHAO J, SHI Q, XIANG Y, GUO Y, FANG Y, JIANG L, YU Y

Graphene tunneling effect transistor has near-source gate, near-drain gate, and middle gate that are filled with three kinds of metal materials such that gate oxide layer is located between gate and intrinsic graphene nanoribbon.

WANG W, LI W, SHEN Z

Multi-combination graphene acoustic generator array structure, has electrode provided with positive electrode, and graphene array connected to negative electrode, where graphene array is provided with first, second and third graphene units.

WANG D, XIN J, WEI L, ZHANG H

Graphene and grating coupled light detector, has integrated graphene substrate whose periphery is provided with three ohmic contact electrodes, where ohmic contact electrodes are located on dielectric layer.

LIU Q, WANG H

Graphene field effect transistor quantum dot photoelectric detector, has multilayer thin film structure, multilayer thin film structure comprises silicon substrate layer, first insulating layer and second insulating layer.

ZHENG J, WANG Y, YU K, WEI W, HU E

Method for preparing compressible graphene/conductive polymer composite electrode material that is utilized in super capacitors and other energy storage devices, involves selecting graphene oxide and preparing graphene oxide solution.

LV P, TANG X, WEI W

Composite electrochromic film comprises indium tin oxide conductive glass or fluorine-doped tin oxide conductive glass as substrate coated with composite film comprising cobalt (II, III)/reduced graphene oxide modified in nickel oxide film.

WEI A, WANG R, WEI W

Preparing three-dimensional graphene composite structure for soft pulse detection probe, involves adding foam nickel in tubular furnace under normal pressure, and introducing mixed gas of hydrogen and argon gas at hydrogen flow rate.

ZHANG Y, CHEN J, XU R, YE Y

Preparation method of bismuth-iron(II) oxide/reduced graphene oxide composite, involves taking graphite as raw material to obtain graphene oxide, adding bismuth (III) nitrate pentahydrate and iron(III) chloride hexahydrate to acetone.

WANG X, LU H, MAO W, ZHANG J, CHU L, LI X