国家/地区 美国（56）
IPC部 B（42） H（38） C（30）
G（6）
IPC大类 B82（37） H01（34） C01（28）
B32（13） C23（12） B05（4）
H04（4） B29（3） C30（3）
B44（2） B81（2） C03（2）
G02（2）
IPC小类 B82Y（34） C01B（28） H01L（17）
B32B（13） C23C（11） B82B（10）
H01M（10） H01J（6） B05D（4）
H04R（4） B29C（3） C23F（3）
C30B（3） H01B（3） B44C（2）
IPC B82Y030/00（19） B82Y040/00（17） C01B031/02（15）
C01B031/04（14） B82Y099/00（9） H01L033/00（9）
H01L033/02（9） H01L021/02（8） B82B003/00（7）
C23C016/26（7） H01L029/16（6） H01L033/12（6）
B32B009/00（5） C01B032/182（5） H01L033/10（5）
发明人 FAN S（56）
公开年 2013（17） 2012（9） 2014（8） 2011（5） 2018（4） 2022（4） 2016（3） 2015（2） 2020（2）
申请年 2012（22）  2011（9）  2014（8）  2017（4）  2009（3）  2019（3）  2021（3）  2010（2）  2020（2） 
专利权人 HON HAI PREC.（54） UNIV TSINGHU.（54） HONGFUJIN PR.（47） FAN S（15）
JIANG K（8） WANG J（8） LIN X（5） LIU P（5）
WEI Y（5） LUO S（2） SAMSUNG ELEC.（2） UNIV LELAND .（2）
ZHANG L（2）

Preparation of graphene involves growing graphene film on growth substrate, setting viscose layer on surface of graphene film, removing growth substrate and using water or cleaning organic solvent, and etching away from surface film.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Making field effect transistor by forming source and drain electrodes on respective first and second ends of graphene nanoribbons, forming insulating layer on nanoribbons, and forming gate on surface of insulating layer away from substrate.

FAN S, LI Q, JIN Y, ZHANG L, ZHANG T

Method for preparing FET e.g. junction FET, involves providing interdigital electrode on graphene nanoribbon composite structure, where electrode covers set of protrusions and is electrically connected to set of graphene nano-ribbons.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Preparing graphene nanoribbon composite structure, comprises e.g. providing substrate comprising protrusions arranged at intervals, growing graphene film on growth substrate, and setting adhesive layer on surface of graphene film.

ZHANG T, ZHANG L, JIN Y, LI Q, FAN S

Electron emission source comprises first electrode, insulating layer, and second electrode successively stacked in order, where second electrode is graphene layer, and graphene layer defines electron emission end to emit electrons.

FAN S, LIU P, YANG X

Making graphene adhesive film by growing graphene on copper sheet growth substrate, depositing adhesive layer on surface of graphene away from growth substrate and removing growth substrate by etching growth substrate with etching solution.

ZHANG T, HUANG Z, XIAO X, WANG Y, LI Q, FAN S

Semiconductor structure used in semiconductor device such as transistor, has metallic carbon nanotube, semiconductor layer and graphene layer that are stacked with each other to form three-layered stereoscopic structure.

ZHANG K, WEI Y, FAN S

Multi-stack graphene structure used in beam steering device, has graphene stack which is comprised of graphene layers made of amorphous graphene, and electric field former that is configured to apply electric field to graphene layers.

JOO W, KANG J, KIM S, BRONGERSMA M L, FAN S

Manufacturing artificial graphite involves placing graphene film on surface of base, placing graphene film/base composite structure in reaction chamber and graphitizing carbon layer/graphene film/base composite structure in inert gas.

LIU P, ZHAO W, WANG J, JIANG K, FAN S

Multi-stack graphene structure, has graphene layers and thin dielectric layers stacked on one another, where graphene layers comprise amorphous graphene, and electric field applying electric field to graphene layers.

JOO W, KANG J, KIM S, BRONGERSMA M L, FAN S, JOO W J, KANG J H, KIM S J