国家/地区 美国（86）
IPC部 H（66） C（44） B（35）
G（15） D（2）
IPC大类 H01（63） C01（33） B01（16）
B82（14） B32（12） C23（12）
C08（9） C09（9） G01（5）
G06（5） B05（4） H05（4）
H10（4） B29（3） G03（3）
IPC小类 H01L（38） C01B（32） H01M（21）
B32B（12） C23C（12） H01B（12）
B82Y（11） B01J（10） H01G（9）
B82B（8） C08K（7） B01D（6）
B05D（4） C08J（4） C08L（4）
IPC C01B031/02（17） C01B031/04（17） H01L029/16（12）
H01B001/04（10） H01M004/36（10） B82Y030/00（9）
B82Y040/00（9） H01L021/02（9） H01L029/66（9）
H01M004/62（9） B82B003/00（8） H01M004/04（8）
H01M004/583（8） H01M010/052（8） C08K003/04（7）
发明人 KIM H（86）
公开年 2022（12） 2014（10） 2021（10） 2023（10） 2013（8） 2015（8） 2016（7） 2011（5） 2012（5） 2017（5） 2018（3） 2020（2）
申请年 2022（15）  2012（10）  2015（10）  2020（9）  2014（8）  2013（7）  2016（6）  2021（6）  2011（4）  2010（3）  2017（3）  2019（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（27） KIM H（12） UNIV HANYANG.（6） UNIV SUNGKYU.（6）
KOREA ADVANC.（5） UNIV SUNGKYU.（5） GRAPHENE SQU.（4） KOREA INST E.（4）
KOREA INST S.（4） UNIV HANYANG.（4） UNIV SEOUL N.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
HANWHA TECHW.（3） KOREA ADVANC.（3） KOREA ELECTR.（3） POSTECH ACAD.（3）
SAMSUNG TECH.（3） UNIV HANYANG.（3） AICT（2） BAE S（2）

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Electronic device e.g. semiconductor memory device, for use in memory system, has gate oxide layer formed between resistance switching layer and gate, source and drain that are arranged on switching layer and spaced apart from each other, and color filter arranged on switching layer.

SHIN H, KIM H, HINTON H J, LIU C, HAM D, JANG H, LEE M

Device for detecting radiation e.g. X-ray radiation, has voltage source and detection circuit for detecting radiation within chamber based on change in current across first and second electrodes resulting from ionization of gas by radiation.

KIM G, KIM Y L, CHOI H S, JUNG Y J, KIM H

Resin composition for semiconductor package, comprises resin composition comprising resin and filler provided in resin, where resin includes soluble liquid crystal polymer resin, where soluble liquid crystal polymer resin includes an organic soluble liquid crystalline aromatic polyester.

HWANG M Y, KIM H S, LEE K E, LEE G E, KIM H

Noble metal-manganese oxide composite catalyst for a positive electrode of an aqueous rechargeable battery that regenerates a solvent of an aqueous electrolyte.

LEE M, KIM H, NO W J, JEONG M J, JO H, OH S H, CHO H, JUNG M J, NOJU, KIM H S, LEEMINAH

Nonvolatile memory device for neuromorphic apparatus, has gate insulating layer extending in first direction between channel layer and gate electrodes, where each of gate electrodes includes metal-doped graphene.

SHIN K, KIM C, PARK S, KIM H, BYUN K, YUN D, LEE C, LI C, YIN T, PIAO S, JIN C, SHIN K W, PARK S H, KIMHYUNWOO, BYUN K E, JIN Y D, LEE C S

Positive electrode for lithium battery, has composite material comprising positive active material as core of composite material, and coating layer located on surface of positive active material forming shell on core of composite material.

CHANG W, KIM H, KIM S, GWON H, CHOI H

Producing nanosheet dispersion comprises reducing interlayer bonding strength by adding two-dimensional material having layered structure into solution containing aionic material and forming covalent bond by entering between layers.

NOHYONGYOUNG, KIM H J, KIM H, NOH Y Y, LU R

Semiconductor memory device comprises substrate including active region defined by device separation film, where active region including first portion and second portions, second portions being on two opposite sides of first portion, bit line on substrate and extending across active region.

KIM H, KIM S H, LEE J E, JIN X, KIM S, LI J, KIM H S

Interconnect structure for use in electronic device, has graphene-metal barrier including graphene layers and metal particles on grain boundary of each graphene layer and between graphene layers, and conductive layer formed on barrier.

LEE S, SHIN H, KIM H, KIM K, SHIN K