国家/地区 韩国（62） 美国（16） 世界知识产权组织（16） 中国（5） 欧洲专利局（EPO）（4） 日本（4）
IPC部 C（34） B（20） G（19）
H（19）
IPC大类 C01（27） H01（18） B82（10）
C23（10） G03（10） B32（7）
B01（5） C08（5） G01（4）
B41（3） C02（3） C09（3）
G02（3） B29（2） B65（2）
IPC小类 C01B（26） G03F（10） C23C（9）
H01L（9） H01B（8） B32B（7）
B82Y（7） B01J（5） B82B（4）
C08K（4） C08L（4） G01N（4）
B41M（3） C02F（3） C08J（3）
IPC C01B031/04（11） G03F001/62（9） C01B031/02（8）
B82Y040/00（7） G03F001/22（7） C23C016/26（6）
H01B001/04（6） C01B032/194（5） C01B032/184（4）
C08K003/04（4） B41M005/03（3） B82Y030/00（3）
C02F001/48（3） C08J005/18（3） G01N027/414（3）
发明人 KIM K S（65）
公开年 2022（19） 2015（10） 2016（9） 2011（4） 2014（4） 2021（4） 2012（3） 2019（3） 2020（3） 2023（3） 2013（2）
申请年 2021（9）  2014（8）  2022（8）  2015（7）  2012（6）  2020（6）  2019（5）  2011（4）  2013（4）  2018（4）  2010（2） 
专利权人 FINE SEMITEC.（8） MCK TECH CO .（6） HANWHA TECHW.（5） KOREA INST I.（5）
KOREA INST M.（5） UNIV SEJONG .（5） GRAPHENELAB .（4） SAMSUNG TECH.（4）
GRAPHENE SQU.（3） KOREA INST M.（3） POSTECH ACAD.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） CENT ADVANCE.（2） FST CO LTD（2） GRAPHENEALL .（2）
KOREA ELECTR.（2） KUMOH NAT IN.（2） POSCO（2） SAMSUNG SDI .（2）

Composite active material for forming anode, comprises core comprising silicon-containing structure and/or silicon-containing compound, and shell comprising carbonaceous material, and at least one metal oxide arranged in matrix of carbonaceous material, arranged on and conformed to surface of core.

SHIM K, MAH S, SON I, JO S, KIM G, PARK J, KAPYLOU A, LEE J, EUN S K, MAH S K, JO S N, KIM G S, WAN L J, SHIM K E, MA X G, SON I H, KIM K S, PARK J H, LEE J W, LI J, PARK S, JIN G, ZHAO S, MA X

Method for manufacturing pellicle for extreme UV lithography, involves adjusting thickness of etch stop layer and another etch-stop layer.

YU L, KIMCHUNG, CHO S J, CHOI J H, KIM K S, LEE S Y, SEO K, MOON S Y, KIM J K

Method for manufacturing pellicle, involves forming upper silicon nitride layer on upper surface of wafer substrate, where pattern is formed on lower silicon n-nitride layer, and metal layer is formed in lower silicon nitride layer.

MOON S I, KWON Y, WOOK Y B, MOON J, KIM K S, LEE S M

High-performance coating film waterproofing composition comprises methyl acrylate-acrylonitrile copolymer, isocyanate group-containing silane coupling agent, titanium oxide, graphene dispersion and aluminum nitride.

KIM K S

Infrared adaptive transparent camouflage film comprises substrate portion, graphene layer on substrate portion, electrode layer spaced apart from graphene layer, and ion gel layer formed on or between graphene layer and electrode layer.

LIM M K, KIM H D, KIM K S, KIM J H, JUNG H J, LEE H J, HYUN S M, LIM M, KIM K, KIM J

Composite active material used as cathode for lithium battery, comprises core comprising lithium transition metal oxide, and a shell comprising metal oxide, carbonaceous material, and doped fluorine element.

KAPYLOU A, MOON J, SON I, KIM G, CHERNYSHOV D, MAH S, JO S, MOON J S, KIM G S, MAH S K, JO S N, ZHAO S, MA X, CHERNYSHYOV D, JIN G, MUN J S, SON I H, KIM K S, MA X G

Producing film-type carbon material, comprises e.g. mixing epoxy resin and grapheme, preparing carbon material precursor having continuous skeleton, and heat-treating to carbonize film-type carbon material precursor.

KIM J P, KIM K S, CHOI D Y

Producing continuous skeletal porous carbon material used as energy storage materials i.e. supercapacitor anode material, comprises e.g. mixing epoxy resin and nano-carbon to form carbon precursor, and adding pore former to carbon precursor.

KIM J P, KIM K S, CHOI D Y

Pellicle film for extreme ultraviolet lithography, comprises a core layer and a first capping layer and second capping layers that are respectively coupled to upper and lower surfaces of the core layer, and a healing layer is formed on grain boundaries.

YU L, KIMCHUNG, CHO S J, KIM K S, LEE S Y, SEO K, CHOI J H, MOON S Y, KIM J K

Manufacturing graphene thin film for pellicle material using ozone gas useful in semiconductor devices comprises forming graphene on the upper surface of substrate, exposing graphene layer to ozone, and heat-treating and etching.

LEE G H, KWON Y, WOOK Y B, MOON S I, MOON J, KIM K S, LEE S M