国家/地区 韩国（48） 美国（41） 中国（15） 欧洲专利局（EPO）（13） 世界知识产权组织（9） 日本（7）
IPC部 H（46） C（30） B（19）
G（9） F（2）
IPC大类 H01（46） C01（25） C23（15）
B82（11） B01（6） G01（6）
B05（3） B32（3） C08（2）
G02（2） G03（2） H10（2）
IPC小类 H01L（32） C01B（24） C23C（15）
B82Y（9） H01M（9） H01B（8）
B01J（6） B82B（4） G01N（4）
B05D（3） B32B（3） C01G（2）
C08K（2） C08L（2） G01B（2）
IPC C23C016/26（14） C01B032/186（11） H01L029/16（11）
C01B031/04（9） H01L021/02（9） B82Y030/00（8）
C01B031/02（7） C23C016/02（7） H01B001/04（7）
C01B032/182（6） H01L021/285（6） H01L029/78（6）
H01M004/62（6） B82Y040/00（5） C23C016/50（5）
发明人 LEE E（57）
公开年 2022（13） 2021（11） 2020（7） 2023（6） 2011（3） 2012（3） 2013（3） 2016（3） 2014（2） 2017（2） 2019（2）
申请年 2021（15）  2019（8）  2020（7）  2022（7）  2010（3）  2011（3）  2012（3）  2015（3）  2013（2）  2014（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（36） UNIV SUNGKYU.（8） CENT ADVANCE.（5） JNTG CO LTD（3）
POSTECH ACAD.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） DAEJOO ELECT.（2）
HANWHA AEROS.（2） HANWHA TECHW.（2） LEE E（2） SAMSUNG TECH.（2）
UNIV SUNGKYU.（2）

Graphene structure for use in semiconductor device, comprises substrate, graphene on surface of substrate, and bonding region, where material of substrate and carbon of the graphene are covalently bonded, between surface of substrate and graphene, where bonding region has silicon carbide.

JUNG A, LEE C, SHIN K, KIM C, SHIN H, SONG H, BYUN K, LEE E

Epitaxy structure comprises substrate having upper surface, upper surface having single crystal structure, two-dimensional material layer provided on upper surface of substrate, and multiple of nanorod light emitting devices provided on upper surface of two-dimensional material layer.

HAN J, LEE E, SHIN D, PARK J, PARK Y, KIM J, KIM N, KONG K, CHOI J, CHOI J H, HO K, KIM N H, KIM J S, PARK Y W, PARKJUNGHOON, HAN J H

Semiconductor element used in various integrated circuit devices, has substrate comprising trench, source region, and drain region, where source region and drain region separated apart from each other by trench, gate insulating layer covering bottom surface and sidewall of trench, gate electrode.

CHO Y, BYUN K, KIM S, LEE E, BYUN K E, CHO Y C

Electronic device has substrate having channel between source and drain, gate electrode and film structure with first ferroelectric layer, crystallization barrier layer and second ferroelectric layer sequentially on channel, where average sizes of crystal grains of ferroelectric layers, is preset.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, LI Z, LI Y, XU Z

Electronic device used in ferroelectric materials, comprises channel between source and drain, gate electrode on substrate and facing channel, ferroelectric thin film structure between channel and gate electrode, crystallization barrier layer has dielectric material and second ferroelectric layer.

LEE J, LEE E, BAE H, MOON T, NAM S, JO S, LEE H, LEE Y, HEO J, HEO J S, LEE Y S, LEE H S, NAM S G, MOON T H, YOUL B, HA L, HO L J

Near-infrared LED mat for processing dementia and inflammation, has power cable connected to apply power to board, and synthetic resin layer molded with board, where end of cable is located on inside to transmit light from LEDs.

LEE E

Cooling structure of turbo blower, has blocking wall that is provided with close contact insulating layer for preventing gap with inner wall surface of motor housing.

LEE E

Field effect transistor structure comprises a fin-shaped channel protruding from a substrate and extending in one direction, a source electrode on one side of the fin-shaped channel, and a drain electrode separated from the source electrode with the fin-shaped channel.

LEE E, YANG B, KIM S, CHOI T, LEE M, SHIN H, KIM C, SHIN H J, HYUN L, CHOI T J, YANG B S

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Carbon support electrode for vanadium redox flow battery, comprises porous plate-like carbon fiber support having first surface and second surface facing each other, and ion adsorption layer disposed on surface of first surface.

LEE E, KIMDOHUN, YOUNG J, KIM E C