国家/地区 韩国（25） 美国（20） 中国（7） 欧洲专利局（EPO）（7） 日本（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 H（16） B（15） C（13）
G（5）
IPC大类 H01（16） C01（12） B82（10）
C23（3） G11（3） B01（2）
B32（2） B41（2） G01（2）
IPC小类 H01L（15） C01B（12） B82Y（7）
B82B（3） C23C（3） B01J（2）
B32B（2） B41M（2） G11B（2）
H01B（2）
IPC H01L029/16（10） H01L029/78（10） C01B031/04（9）
C01B031/02（7） H01L021/336（7） H01L029/66（6）
H01L029/786（5） H01L021/02（4） H01L029/06（4）
H01L029/10（4） B82B003/00（3） B82Y010/00（3）
H01L021/20（3） H01L031/0224（3） B01J019/08（2）
发明人 LEE J（25）
公开年 2014（25）
申请年 2013（16）  2014（8） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（15） LEE J（6） SNU R DB FO.（6） UNIV SEOUL N.（6）
TOSHIBA SAMS.（4） UNIV SUNGKYU.（3） BYUN K（2） CHUNG H（2）
HEO J（2） JEON T（2） KIM Y（2） PARK S（2）
SEO D（2） SONG H（2）

Graphene pattern formation method involves forming DNA pattern, and forming graphene pattern on DNA pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

Patterning a graphene in the manufacturing of semiconductor chip, by forming a DNA pattern and forming graphene on pattern, where pattern is formed by forming metal ion pattern on a substrate and adsorbing a DNA structure on ion pattern.

JEONG S, LEE J, PARK I K, PARK J H, PARK S, ROH Y, YEON S

Method for transferring graphene during manufacturing graphene applied device that is used in e.g. high speed radio frequency switching device, involves transferring protection metal layer and graphene layer from supporter to substrate.

LEE J, KIM Y, MOON C, LEE S, LEE C, LEE J H, KIM Y S, MOON C Y, LEE S H, LEE C S

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D

Graphene device used for electronic apparatus e.g. semiconductor device, consists of active layer, graphene layer, and electrode spaced apart from graphene layer and controls work function of graphene layer based on applied voltage.

SHIN H, BYUN K, SONG H, PARK S, SEO D, WOO Y, LEE D, LEE J, CHUNG H, HEO J, YOO I, SHIN H J, BYUN K E, SONG H J, PARK S J, WOO Y S, LEE D W, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S, YOO I K, JIN S H, EUN B G, JAE S H, JUN P S, SEOK S H, SEONG W Y, GYEONG Y I, UK L D, HO L J, JONG J H, SEONG H J, HUI D, HUH J, YEO R, JUNG H

Making nanostructure involves forming graphene layer, forming block copolymer template layer on graphene layer and precursor pattern of metal coupled to block copolymer template layer, and forming metal nanopattern on graphene layer.

KIM U, KIM J, ROH Y, PARK S, PARK Y, YOO S, LEE C, LEE J, CHEON S, KIM U J, KIM J E, ROH Y G, PARK S J, PARK Y S, YOO S M, LEE C W, LEE J S, CHEON S M

Graphene lithium-ion capacitor consists of cathode, anode formed using graphene material, sacrificial lithium electrode which is electrically connected to anode, membrane which disposed between cathode and anode, and electrolyte.

SEO H, PARK K, KIM K, KIM I, YANG K, LEE J, HUN S, KIHOON P, KWANGHEON K, ILHWAN K, KWANGSUK Y, JAESEOK L, YANG G

Disk for fabricating graphene comprises thermoplastic polymer substrate with reflection layer disposed on one side of thermoplastic polymer substrate, and graphite oxide layer provided on thermoplastic polymer substrate.

CHOI K, SONG B, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, KIL S C, BYUNG Y S, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L

Optical disk e.g. optical recording and/or reproducing device for fabricating graphene comprises thermoplastic polymer substrate with reflection layer for reflecting incident light; and graphite oxide layer applied on the substrate.

CHOI K, SONG B, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, KIL S C, BYUNG Y S, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L

Apparatus for fabricating graphene comprises light source for irradiating graphite oxide layer on substrate; light source for irradiating irradiated graphite oxide layer; control unit for controlling irradiation from the light sources.

SONG B, CHOI K, CHOI N, SHIM H, JUNG H, LEE J, BYUNG Y S, KIL S C, NAG E C, HYOUNG S S, HAN Y J, JUNG H L