国家/地区 韩国（23） 美国（15） 中国（6） 欧洲专利局（EPO）（6）
IPC部 H（15） B（10） C（10）
F（2） G（2）
IPC大类 H01（15） B82（8） C01（5）
C08（5） C23（2） F16（2）
IPC小类 H01L（14） B82Y（8） C01B（5）
C08K（5） C08L（5） C08G（2）
C08J（2） C23C（2） F16L（2）
H01B（2）
IPC H01L029/16（9） H01L029/78（9） H01L021/336（8）
H01L029/786（6） C01B031/02（5） H01L029/06（5）
H01L029/66（5） B82Y040/00（4） H01L029/10（4）
B82Y099/00（3） C08K003/04（3） H01L021/02（3）
H01L029/778（3） B82Y010/00（2） C08G073/22（2）
发明人 LEE J H（23）
公开年 2014（15） 2013（4） 2015（4）
申请年 2013（23）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（15） LEE J（5） BYUN K（2） CHUNG H（2）
HEO J（2） JEON T（2） KIM Y（2） LEE J H（2）
PARK S（2） SEO D（2） SNU R DB FO.（2） SONG H（2）
UNIV SEOUL N.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Polymer composite membrane used for separating olefin from its mixtures with paraffin, is deposited with multi-layered reduced graphene oxide and organic compound.

KANG Y S, CHOI H, LEE J H, KIM Y R

Graphene device comprises a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and a plasmonic pattern that is formed on the gate electrode, where multiple penetration holes are formed in the gate electrode.

KYOUNG J S, JEONG H J, BYUN K E, LEE J H, HEO J S

Graphene base electrode material for highly efficient super capacitor electrode in super capacitor, has ring member graphene oxide sheet functionalized to melamine resin monomer and reduction oxidation graphene sheet combined in sheet.

CHOI J W, LEE J H

Manufacture of single crystal graphene film involves melting catalyst layer on substrate, cooling molten catalyst, forming catalyst region, and expanding catalyst region to expand cooling area of catalyst layer.

HAN I T, KIM H J, KIM S G, KIM Y C, LEE J H, YOO J B

Silica-graphene oxide complex used in composition and epoxy resin used for forming epoxy resin product e.g. plastic material having excellent tensile strength, elastic modulus and impact strength.

LEE J H, HEO S B, KIM N H, JIANG T, TONGWU J

Producing graphene-reinforced polyparaphenylene benzobisoxazole composite used in e.g. film, by dehydrochlorinating composite, polymerizing, carrying out cyclization reaction, and injecting graphene nanoparticles to mixture.

JEONG Y G, MIN B G, KWAN H Y, LEE J H

Graphene memory has Schottky barrier that is formed between conductive semiconductor substrate and graphene layer such that graphene layer is used as charge-trap layer for storing charges.

LEE J, CHUNG H, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, HEO J, LEE J H, CHUNG H J, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, HEO J S, HUH J, JUNG H, SONG C, SAIL D

Method for transferring graphene to manufacture e.g. bipolar junction transistor, involves bonding graphene layer to target layer, and removing sacrificial layer using excimer laser to separate substrate from graphene layer.

WENXU X, LEE J, MOON C, PARK Y, YANG W, KIM Y, XIANYU W, LEE J Y, MOON C Y, PARK Y Y, YANG W Y, KIM Y S, LEE J H

Electronic device e.g. field effect transistor (FET) has graphene that directly contacts area of semiconductor layer, and metal layer on graphene.

BYUN K, PARK S, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J, BYUN K E, PARK S J, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, HEO J S

Light emitting device useful in an organic light emitting device, comprises a graphene quantum dot, and an organic light emitting material that is chemically or physically hybridized with the graphene quantum dot.

LEE H, LEE J H, SHIN Y H