国家/地区 美国（44）
IPC部 H（33） C（24） B（19）
G（9）
IPC大类 H01（31） C01（15） B82（8）
B01（6） B32（6） G01（6）
H05（6） C08（5） C23（5）
B05（4） C09（4） G02（3）
C02（2） C07（2） C12（2）
IPC小类 H01L（20） C01B（15） H01B（11）
B82Y（8） B32B（6） H05K（6）
C08K（5） C23C（5） G01N（5）
B05D（4） C08J（4） C08L（4）
C09D（4） H01M（4） B01D（3）
IPC C01B031/04（10） H01L029/16（9） H01B001/04（7）
B82Y040/00（6） H01L029/66（6） H01L029/786（6）
C23C016/26（5） H01L029/78（5） B82Y030/00（4）
C01B031/02（4） H01L029/267（4） H01L031/028（4）
H01L045/00（4） C01B032/184（3） C08K003/04（3）
发明人 LEE K（44）
公开年 2015（10） 2012（5） 2016（5） 2014（4） 2022（4） 2023（4） 2013（3） 2017（3） 2018（2）
申请年 2013（8）  2015（8）  2014（6）  2011（4）  2021（4）  2022（4）  2012（2）  2016（2）  2017（2）  2020（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（13） LEE K（8） UNIV CHUNG Y.（7） UNIV SUNGKYU.（4）
LEE S（3） LG CHEM CO L.（3） LG CHEM LTD（3） SHENZHEN CHI.（3）
UNIV RUTGERS.（3） CHEORWON PLA.（2） KOREA INST S.（2） LEE J（2）
SAMSUNG ELEC.（2） UNIV YONSEI .（2） WANG Y（2）

Three-terminal synaptic device comprises drain electrode provided on substrate and spaced apart from each other, channel layer provided on substrate, source electrode, and drain electrode, ion reservoir layer configured to store active ions, gate electrode provided on ion reservoir layer.

CHOI W, HWANG H, LEE K, KWON J, LEE H, LEE J, NOH S, NOH S J, YI J S, KWON J H, LEE G M, HWANGHYUNSANG

Electrochemical aptasensor for analyzing target material, comprises working electrode modified with graphene nanoplatelet composite including graphene nanoplatelets, transition metal chalcogen compound and amine-based polymer, gold nanoflowers bound to electrode, and aptamer bound to target material.

LEE K, JUNG H, LEE K Y

Image sensor comprises substrate including multiple photoelectric conversion elements, variable filter layer provided on substrate, and multiple micro lenses provided on variable filter layer, which comprises multiple first electrodes in first direction, and having first width in second direction.

JOE I, LEE K, KANG S, JANG M, CHANG M, KANG S K, LEEKWANGMIN, CHO I S, CHO I, LI G

Depositing graphene barrier film, involves placing substrate containing the titanium thin film layer into substrate processing system chamber forming processing space, supplying first reaction gas into chamber, supplying second reaction gas, and forming graphene layer on titanium thin film layer.

PARK J, LI J, JIN D, SUN W, KIM T, YIN Y, TIAN Z, BAK H, PARK J H, LEE K J, KIM D W, SUN W H, KIM T S, YOON W J, JEON J H, PARK H K, PARK H, JEONJINHO, YUN W J, WOO K D, LEE K

Mechanical meta-structure based electromagnetic wave absorber, has unit cell provided with carbon black, carbon nanotube, carbon fiber and graphene, where dielectric loss of absorber is controlled by changing strut diameter.

PARK J W, KEUN S, KYOUNG J, LEE K S, CHOI J H, LIM D, CHOIWONJUN, CHOI W, CHOI J, LEE K, JUN E, SONG J, PARK J

Semiconductor device has semiconductor structures with patterns, second conductive pattern that extends in second direction on gate insulation pattern, and second impurity region that is mounted on each of second semiconductor patterns.

HONG J, LEE K, PARK S, KIM I, KIM Y, KIM H, LI J, KIM I K, JIN R, KIM H C, PARK S H, LEE K H

System for analyzing of sample, where sample comprises bio-molecules comprises nano array, that comprises substrate, where substrate is glass, and multiple of plasmonic metal protrusions extending from substrate, where multiple of plasmonic metal protrusions is of plasmonic metal that is gold.

YANG L, LEE K

Vertical variable resistance memory device, has pillar structure for extending in direction through gate electrodes and insulation patterns on substrate, where pillar structure includes variable resistance pattern on sidewall of vertical gate electrode.

HONG J, LEE K, YOO S, SEO H, KIM Y, KIM H

Light emitting display device comprises lower substrate, thin film transistor is provided on lower substrate, passivation layer is provided on thin film transistor, overcoating layer is provided on passivation layer.

SHIN H, LEE K, KIM K, KIM T, KIM J, KIM E, SEO H, KIM G, KIM Y, YAN J, SEOHYUNTAE, KIM E J, KIM J Y, KIM J H, KIM K H, LEE G S, SHIN H D, JIN R, JIN G, JIN E, JIN Z, LI G, SHEN H

Graphene device e.g. multifunctional device of switching device or electronic device, has gate that faces functional layer with graphene layer, and gate insulation layer that is formed between graphene layer and gate.

HEO J, LEE K, PARK S