国家/地区 韩国（14） 美国（9） 中国（5） 日本（3）
IPC部 H（11） B（8） C（7）
IPC大类 H01（11） B82（6） C08（4）
B32（3） C01（3） C07（3）
C09（2） C23（2）
IPC小类 H01L（8） B82Y（6） H01B（4）
B32B（3） C01B（3） C08K（3）
C07F（2） C08L（2） C23C（2）
IPC H01L021/336（5） H01L029/78（5） B82Y040/00（4）
B82Y099/00（4） B82Y030/00（3） C01B031/02（3）
C08K003/04（3） H01B001/04（3） H01L029/10（3）
H01L029/786（3） H01L051/05（3） H01L029/06（2）
H01L029/772（2） H01L051/30（2） H01L051/40（2）
发明人 LEE S H（14）
公开年 2012（7） 2013（4） 2011（3）
申请年 2011（14）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） KOREA INST S.（3） SNU R DB FOU.（2） UNIV SEOUL N.（2）

Polymer composite material comprises non-polar polyolefin polymers, graphene powder and polar monomer modified polyolefin polymers.

HO P J, HUN L S, MO J H, TAE A Y, AHN Y T, LEE S H, JEONG H M, PARK J H

Infrared ray detector for detecting infrared ray radiated from object, has electrodes and substrate with grapheme, where graphene contains graphene pattern and graphene oxide.

HUN L S, RYONG H H, HYEON Y J, JEONG H D, HUI L Y, JU I S, LEE S H, HWANG H R, YOON J H, HONG D J, YOUNG H L, LIM S C

Composition, useful for electricity electroconductive composite material, comprises polyacrylicnitrile group polymer and graphene oxide.

HO L S, CHEOL G B, IK C H, JIN K Y, HWAN K D, LEE S H, KU B C, JO H I, KIM Y J, KIM D H

Formation of metallic foil on graphene during manufacture of electronic component, involves plasma-treating graphene under inert gas atmosphere or non-oxidizing atmosphere, and depositing metal.

CHOI M S, LEE S H, YOO W J

Adhesive useful for bonding aluminum-polyurethane composite material, comprises graphene oxide comprising epoxy, hydroxy or carboxylic acid group, and alkoxysilane compound comprising amine, epoxy, carboxylic acid, hydroxy or thiol group.

CHO H C, LEE S H, LEE D S, KANG K H, CHEOL C H, HUN L S, SU L D, HO G G, KANG K, LEE D, LEE S, CHO H

Graphene electronic device e.g. back gate FET, has graphene channel layer extending between metals, and source electrode and drain electrode provided on edges of channel layer and formed to have thickness of specific range.

HEO J, CHUNG H, SEO S, LEE S, YANG H, HEO J S, CHUNG H J, SEO S A, LEE S H, YANG H J, JEONG H J, HUH J, JUNG H

Graphene electronic device e.g. FET has source electrode and drain electrode that are connected to both edges of multiple graphene channel layers.

CHUNG H, LEE J, SHIN H, SEO S, LEE S, HEO J, YANG H, CHUNG H J, LEE J H, SHIN H C, SEO S A, LEE S H, HEO J S, YANG H J, SHIN J, HUH J, JUNG H

Graphene substrate comprises a substrate, metal oxide film on the substrate, and graphene layer on metal oxide film in which the concentration of oxygen in metal oxide film is gradually reduced from the substrate towards the graphene layer.

CHUNG H, SEO S, LEE S, HEO J, YANG H, CHUNG H J, SEO S A, LEE S H, HEO J S, YANG H J

Graphene electronic device e.g. field effect transistors, has graphene channel layer which is formed on gate insulating layer and source and drain electrodes are located on graphene channel layer.

HEO J, SEO S, LEE S, CHUNG H, YANG H, SEO S A, JUNG H, HUH J, HEO J S, LEE S H, CHUNG H J, YANG H J

Semiconductor device comprises gate electrode on substrate, gate insulating layer, interlayer dielectric layer, graphene layer, and source and drain on graphene layer.

CHUNG H, LEE J, SHIN H, SEO S, LEE S, HEO J, YANG H, CHUNG H J, LEE J H, SHIN H C, SEO S A, LEE S H, HEO J S, YANG H J