国家/地区 韩国（54） 美国（16） 世界知识产权组织（14） 中国（10） 日本（3） 台湾（3） 欧洲专利局（EPO）（2）
IPC部 C（37） H（20） B（19）
G（14） A（4）
IPC大类 C01（25） H01（20） C08（12）
B01（11） C09（7） B82（6）
G01（6） G03（6） A61（4）
B05（3） C12（3） C23（3）
B22（2）
IPC小类 C01B（25） B01J（11） C08K（11）
H01L（10） C09D（7） B82Y（6）
C08L（6） G03F（6） H01M（6）
G01N（5） B05D（3） C01G（3）
C08J（3） C23C（3） H01G（3）
IPC C01B031/02（10） C08K003/04（9） C01B031/04（6）
C01B032/194（6） B01J035/00（5） B01J037/02（5）
B82Y040/00（5） C09D011/52（5） G03F001/62（5）
B01J021/18（4） B01J035/02（4） G03F001/22（4）
H01L029/16（4） H01M004/92（4） B01J035/10（3）
发明人 LEE S Y（55）
公开年 2022（18） 2021（8） 2014（6） 2017（4） 2023（4） 2015（3） 2011（2） 2012（2） 2013（2） 2018（2）
申请年 2021（14）  2020（10）  2012（4）  2022（4）  2009（3）  2010（3）  2014（3）  2015（3）  2019（3）  2011（2）  2013（2）  2016（2）  2017（2） 
专利权人 KOREA INST S.（10） SAMSUNG ELEC.（7） FINE SEMITEC.（5） RES INST IND.（5）
DONG JIN SEM.（4） GLOBAL FRONT.（3） SIP CO LTD（3） UNIV CHONBUK.（3）
JANG B Z（2） KOREA ADVANC.（2） LEE S（2） LEE S Y（2）
LIN Y（2） NANOTEK INST.（2） POSCO（2） PURESPACE IN.（2）
SKC HAAS DIS.（2） TAIWAN TEXTI.（2） ZHAMU A（2）

Fabricating semiconductor device involves loading substrate with structure having opening, into process chamber, forming two-dimensional material layers on upper surface of structure, to overlie opening and form air-gap, where upper portion of air-gap, is defined by two-dimensional material layers.

SHIN K, LEE S, YOON J, AN S, LI Z, YOUN J, AN X, AHN S J, SU Y J, LEE S Y, SHIN K W

Display device such as LCD or light emitting display device, has substrate including holes comprising hole, metal layer disposed on one side of substrate, light-emitting device layer disposed on metal layer, and heat radiation layer disposed on another side of substrate.

CHAE S, CHAE S G, LEE S Y, SUNG W Y, KWON S W, YEON C

Noble metal-transition metal alloy nanocatalyst useful in electrode for fuel cell, comprises a carbon support, and noble metal transition metal alloy nanoparticles adsorbed on the carbon carrier by reducing transition metal precursor.

YOO S J, HANEUL J, PARKJAEHYUN, YOUNG P H, LEE S Y, PARK H S, KIM J, KIM H J, CHANG J H, SEO B R

Method for manufacturing pellicle for extreme UV lithography, involves adjusting thickness of etch stop layer and another etch-stop layer.

YU L, KIMCHUNG, CHO S J, CHOI J H, KIM K S, LEE S Y, SEO K, MOON S Y, KIM J K

Flash memory device for use in neuromorphic computing system, has blocking insulating layer that is arranged on floating gate and has second dielectric constant greater than first and upper gate that is disposed on blocking insulation layer.

KWAK J, PARK E P, LEE S Y, KIM I H, PARK J K, KIM J, KIL P J, JUNG Y J, JEONG Y, PARK J, KIM I, LEE S, PARK E, KWAK J Y

Sensor useful in detecting nitrogen dioxide for hospitals, medical facilities, medicinal manufacturing, and chemical handling industries, comprises graphene sheet positioned on substrate, and tungsten oxide nanorods doped on graphene sheet.

LEE K B, NAM Y, LEE S Y, LEE Y, KIM J, OH I H

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Pellicle film for extreme ultraviolet lithography, comprises a core layer and a first capping layer and second capping layers that are respectively coupled to upper and lower surfaces of the core layer, and a healing layer is formed on grain boundaries.

YU L, KIMCHUNG, CHO S J, KIM K S, LEE S Y, SEO K, CHOI J H, MOON S Y, KIM J K

Pellicle film used for extreme UV lithography, comprises boron nitride nanostructure layer.

CHOI J H, CHO S J, YU L, KIM C, LEE S Y, SEO K W, KIM K S, MOON S Y, KIMCHUNG, SEO K

Negative electrode current collector used for metal battery, comprises current collector substrate, two-dimensional material layer formed on portion of at least one surface of current collector substrate and having atomic thickness, and metal layer formed on portion of two-dimensional material layer.

SHIN H S, LEE S Y, KIM S H, KIM M S, SUK S H, YOUNG L S, SOO K M