国家/地区 中国（75）
IPC部 C（54） H（18） B（11）
A（3） D（2） F（2）
G（2）
IPC大类 C01（18） H01（18） C08（13）
C25（9） B01（8） C23（6）
A61（2） C02（2） C06（2）
C09（2） C10（2） C22（2）
D06（2） F16（2） G01（2）
IPC小类 C01B（18） H01L（16） C08K（13）
C08L（12） B01J（7） C23C（6）
C25B（5） C25D（5） C08J（4）
C08G（3） A61L（2） B01D（2）
C02F（2） C06B（2） C09D（2）
IPC C08K003/04（13） C01B032/194（8） C01B032/186（6）
C01B031/04（5） C23C016/26（5） C08L063/00（4）
H01L021/02（4） C01B032/198（3） C08G059/66（3）
C25B001/04（3） H01L021/28（3） A61L027/06（2）
A61L027/50（2） B01J013/00（2） B01J023/44（2）
发明人 XUE Z（75）
公开年 2021（19） 2018（12） 2022（12） 2017（10） 2020（6） 2015（5） 2016（5） 2012（2） 2023（2）
申请年 2021（17）  2015（10）  2018（10）  2022（10）  2017（8）  2016（5）  2020（5）  2019（4）  2011（2）  2014（2）  2023（2） 
专利权人 SHANGHAI INS.（28） CHANGZHOU BA.（4） UNIV CHINESE.（4） YINGKOU TECH.（4）
CHINA PETROL.（3） SINOPEC RES .（3） BEIJING GRAP.（2） LAIAN LONGHU.（2）
UNIV JINAN（2） UNIV NORTHWE.（2） UNIV PEKING（2） UNIV SHAANXI.（2）
UNIV SICHUAN（2） UNIV SICHUAN.（2） UNIV SOOCHOW（2） UNIV SOUTHWE.（2）
UNIV XIAN JI.（2） YANKUANG LUN.（2）

Transferring graphene involves growing graphene layer on substrate, depositing stress layer on graphene layer, spin-coating bonding glue on stress layer, attaching rigid substrate, peeling rigid substrate followed by performing Vander Waals bonding on laminated structure, and etching stress layer.

TIAN Z, XUE Z, ZHANG M, DI Z, JIANG H

Preparing radio frequency transistor with self-aligned structure comprises growing graphene layer on upper surface of substrate, spin coating two photoresist, depositing aluminum and gold form self-aligned structure, spin coating transfer glue, attaching transition substrate and cleaning.

XUE Z, TIAN Z, ZHANG M, DI Z, JIANG H

Modified ceramic separation membrane for use in e.g. waste water treatment field, has graphene layer for directly growing on surface of ceramic separating membrane, where filter aperture of the ceramic separation membrane body has specific value.

LIU B, SUN J, XUE Z, LIU Z

Deep UV LED packaging structure, has reflecting layer plated on side wall of internal space of cover plate, where reflecting layer is located at side of deep UV chip LED, and UV light of LED is reflected to front of LED reflecting layer.

FENG X, HUANG R, XUE Z

Preparing nickel sulfide and graphene oxide composite material, comprises dispersing certain amount of graphene oxide (GO) into deionized water under ultrasonic treatment to obtain uniformly dispersed graphene oxide suspension, transferring mixed solution together.

XUE Z, SUN H, SHI R, LIAO J, ZHAO Z, NIE M

Preparation of a fluorinated graphene-modified epoxy resin coating, comprises preparing fluorinated graphene by adopting hydrofluoric acid to react with graphene oxide, and then fluorinated graphene was added to epoxy resin.

FAN H, HAO S, FAN B, QIN X, DONG Z, ZENG J, XUE Z, SHANG J

Method for integrating of thin film material, involves forming functional material layer on upper surface of graphene layer, forming rigid temporary substrate layer on upper surface of graphene layer, and forming temporary bonding glue layer on surface of rigid temporary substrate layer.

ZHANG M, XUE Z, JIANG H, TIAN Z, LIU G, DI Z

Antistatic snowflake-shaped chinlon, has central fabric layer whose interior adopts hollow design of straight slot, and contact fabric layer comprising base fabric layer and plush fabric layer that is distributed on surface of base layer.

LI X, LIU Z, XUE Z, HUANG J, ZHANG Y, FU J, JIN C, QIN J

Heating furnace for use in chemical vapor deposition reaction device, has graphite plate supporting wafer substrate, where one side surface used for substrate is provided with growth graphene.

XUE Z, CHEN Z, SHAN J, WANG M, SUN J, LIU Z

Preparing graphene composite aerogel by intercalation-in-situ polymerization synergistic method comprises dissolving metal sulfate or transition metal sulfate in water, placing graphene composite aerogel in tube furnace, and removing template by high temperature calcination.

CHEN H, LIANG H, JIAO J, DENG X, XUE Z