国家/地区 中国（40） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（28） H（10） B（7）
D（3） G（3） F（2）
IPC大类 C01（14） H01（9） C08（7）
C09（6） B01（3） B82（3）
C23（3） C02（2） C22（2）
D01（2） G01（2）
IPC小类 C01B（14） C08K（6） C08G（4）
C09D（4） H01L（4） H01M（4）
B82Y（3） C08L（3） C09J（3）
C23C（3） B01J（2） C02F（2）
C22C（2） D01F（2） G01N（2）
IPC C01B031/04（11） C01B032/184（5） C01B032/186（5）
C08K003/04（5） B82Y030/00（3） C23C016/26（3）
H01M004/90（3） C01B031/02（2） C08G018/32（2）
C08G018/48（2） C08G018/66（2） C08K009/04（2）
C09D007/12（2） C09D175/06（2） C09D175/08（2）
发明人 ZHANG M（40）
公开年 2015（22） 2016（14） 2017（4）
申请年 2015（40）
专利权人 SHANGHAI INS.（10） LANZHOU CHEM.（2） SHANDONG ZHO.（2） TANG Y（2）
UNIV SOOCHOW（2） UNIV SOOCHOW.（2） UNIV SUZHOU .（2） UNIV TIANJIN（2）
UNIV TSINGHU.（2） UNIV YANTAI（2） YU H（2）

Preparing directly layer of controllable graphene on insulating substrate comprises forming insulating substrate on first metal layer, injecting carbon ions, forming second metal layer on surface of first metal layer and annealing.

DI Z, WANG Z, WANG G, ZHENG X, DAI J, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Preparation of continuous single layer graphene on insulating substrate by providing insulating substrate, depositing germanium film on insulating substrate, using germanium film as catalyst and growing graphene at high temperature.

DI Z, WANG Z, DAI J, WANG G, ZHENG X, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Preparation of patterned graphene involves providing insulating substrate, depositing germanium film on insulating substrate, etching desired pattern in germanium film, forming patterned germanium film, and continuously evaporating.

DI Z, WANG Z, DAI J, WANG G, ZHENG X, XUE Z, ZHANG M, WANG X

Method for preparing metal semiconductor alloy layer, involves performing ion implantation on surface of defective graphene-forming metal layer to obtain controllable density graphene defect.

ZHANG B, MENG X, YU W, DI Z, ZHANG M

Method for modifying surface of medical titanium material, involves preparing graphene film on surface of medical titanium material.

DI Z, WANG G, LI J, LIU X, CHEN D, GUO Q, MA J, XUE Z, ZHANG M

Preparing high purity fluorinated graphene involves utilizing nitrogen trifluoride as fluorine source, adding pre-treated graphene to reactor, hermetically sealing reactor under inert gas atmosphere, and heating reactor.

FANG Z, LIU C, ZHANG M, ZHAO J, ZHOU J

Preparing ultrathin fluorinated graphene composite lubricating film comprises rotary coating fluorinated graphene dispersion on crystalline silicon substrate having upper layer of polydopamine adhesive-buffer layer.

FANG Z, HOU K, LIU C, WANG J, YANG S, ZHANG M

Semiconductor heating plate, has main body provided with heat radiator and cold side heat, metal conductor electrically connected with power supply, and N type semiconductor and P type semiconductor fixed with uniform graphene.

MA D, SUN Y, TANG Y, YU H, ZHANG M

Composite wear-resistant coating comprises metal substrate comprising iron-based material and composite wear-resistant coating comprising polyimide and solid lubricant comprising fluorinated graphene sheet.

FANG Z, LIU C, WANG J, YANG S, YE X, ZHANG M

Production of molecularly imprinted electrochemical sensor used for detecting lysozyme, involves coating graphene solution on electrode, immersing electrode in e.g. template protein phosphate buffer, and performing cyclic voltammetry.

LI F, ZHANG M, ZHAO R