国家/地区 美国（139）
IPC部 B（139）
IPC大类 B82（139） H01（116） C01（35）
B32（22） B05（18） C23（13）
G01（10） H05（10） B01（5）
G02（5） G11（5） B29（4）
C08（4） C09（4） C25（4）
IPC小类 B82Y（139） H01L（94） C01B（35）
H01B（23） B32B（22） B05D（18）
C23C（13） H01G（13） H01M（12）
H05K（10） G01N（8） B82B（7）
G11C（5） B29C（4） B01D（3）
IPC B82Y099/00（139）
发明人 FAN S（9） CHUNG H（8） CHUNG H J（8）
DIMITRAKOPOULOS C D（7） HEO J（7） HEO J S（7）
GRILL A（6） LEE J（6） LEE J H（6）
YANG H（6） YANG H J（6） CHOI J（5）
HUH J（5） JIANG K（5） JUNG H（5）
公开年 2013（50） 2012（41） 2011（21） 2014（18） 2010（4） 2015（3）
申请年 2012（63）  2011（38）  2010（13）  2013（11）  2014（6）  2009（4）  2015（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（22） INT BUSINESS.（21） HON HAI PREC.（10） UNIV TSINGHU.（10）
HONGFUJIN PR.（7） TOSHIBA KK（6） UNIV SUNGKYU.（6） FAN S（3）
INST MICROEL.（3） KOREA ADV IN.（3） KOREA ADVANC.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） US SEC OF NA.（3） AHN J（2） CHOI J（2）
ELECTRONICS .（2） EMPIRE TECHN.（2） GLOBALFOUNDR.（2） HITACHI LTD（2）

Method for forming semiconductor structure involves overlapping portion of each graphene nanoribbon and located atop portion of each silicon carbide fins and silicon fin, and overlapped by gate structure.

COHEN G M, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A

Dual-gate G-FET for use in graphene-based pattern matching circuit, has graphene layer operating in negative differential resistance region when source-drain voltage and top-gate voltage are simultaneously swept across dirac point.

BALANDIN A A, KHITUN A, LAKE R

Semiconductor device for large scale integrated circuit (LSI), has graphene wires that are provided within each catalyst film formed in trenches of wire layer.

YAMAZAKI Y, WADA M, KITAMURA M, SAKAI T

LED used as light source in optical imaging system such as display, projector has graphene layer having apertures, which is located between active layer and semiconductor layer.

WEI Y, FAN S

LED for use as light source in e.g. projector, has electrode electrically connected with semiconductor layer, and graphene layer located between active layer and semiconductor layer and defining set of apertures.

WEI Y, FAN S

Monolayer graphene photodetector manufacturing method involves forming electron trapping center in graphene quantum dot array, which is formed in graphene monolayer.

ZHANG Y, WANG Q

Electrochemical double layer capacitor comprises electrolyte, separator and aluminum mesh current collectors having deposits of nanosized graphite chosen from nanosized graphene nanotube.

DO I, KIM H, DO IN H

Electrode structure useful in electric device e.g. fuel cell and solar cell, comprises rolled graphene film which is wound about central axis, and nanomaterial dispersed on surface of rolled graphene film.

YOON Y, LEE H, KWON S, CHOI J, KWON S G, LEE H Y, RYU C J, YOON Y H, RYU Y, YUN Y, CHOI J Y

Producing polymeric nanocomposite used in electromagnetic shielding involves adding graphene nanoplatelet in solvent with thermosetting polymer; subjecting mixture to ultrasound and then to magnetic stirring with controlled evaporation.

SARTO M S, DE BELLIS G, TAMBURRANO A, DALOIA A G

Tunneling field-effect transistor (TFET) for controlling current tunneling through semiconductor between graphene channel and electrode, has gate insulating layer that is formed on graphene channel of semiconductor layer.

HEO J, PARK S, BYUN K, SEO D, SONG H, LEE J, CHUNG H, HEO J S, PARK S J, BYUN K E, SONG H J, LEE J H, CHUNG H J, XU D, HUH J, JUNG H