国家/地区 韩国（90） 美国（69） 日本（58） 世界知识产权组织（49） 中国（37） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（10） 新加坡（6） 德国（4） 印度（3） 巴西（2） 加拿大（2） 法国（2） 香港（2）
IPC部 C（138） H（138） B（87）
G（12） A（2）
IPC大类 C01（138）
IPC小类 C01B（138） H01B（79） H01L（73）
B82Y（64） H01M（31） B32B（28）
C23C（27） B01J（22） B82B（20）
B05D（15） H01G（11） C09D（8）
C23F（6） G01N（6） C01G（5）
IPC C01B031/02（138）
发明人 HONG B H（7） CHOI J Y（6） KIM K B（6）
AHN J（5） SHIN H J（5） AHN J H（4）
HONG B（4） HWANG S W（4） JIANG K（4）
KIM H K（4） KIM J K（4） KO G W（4）
LIN X（4） NA D H（4） SIM S H（4）
公开年 2012（62） 2013（52） 2011（24）
申请年 2011（138）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（12） KOREA ADV IN.（9） UNIV SUNGKYU.（9） SAMSUNG TECH.（6）
UNIV YONSEI .（6） GRAPHENE SQU.（4） HANWHA TECHW.（4） HON HAI PREC.（4）
HONGFUJIN PR.（4） KOREA ADVANC.（4） SONY CORP（4） UNIST ACADIN.（4）
UNIV SUNGKYU.（4） UNIV SUNGKYU.（4） UNIV TSINGHU.（4） FUJITSU LTD（3）
KOREA INST M.（3） KOREA INST S.（3） NAT INST MAT.（3） PANASONIC CO.（3）

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Manufacture of semiconductor element used for electronic device, involves forming opening portion which reaches back surface of catalyst layer formed on substrate, forming graphene on back surface and removing portion of catalyst layer.

KOJIMA E, FURUICHI T

Transferring graphene, comprises forming graphene on substrate of metal film, forming polymer transfer layer on graphene and then laminating to form first laminate, and removing laminate and then heat treating to form second laminate.

JAEKYU J, SEUNGMIN J, YOUNGKEUN L, HONG Y

Graphene dispersion used for forming graphene film, comprises reduced graphene oxide dispersed in organic solvent chosen from dimethylformamide, dimethylsulfoxide and acetonitrile.

KIM D P, PARK C P

Manufacture of graphene nano-mesh for forming electric component, involves forming graphene layer and filtering membrane having multiple air gaps, and then removing graphene layer by vacuum filtering.

KO G W, SIM S H, HWANG S W, SONE C S

Manufacture of graphene nano ribbon for secondary conductive semiconductor layer electric component, involves arranging multiple nanospheres to predetermined pattern, obtaining nanosphere mold, contacting and preparing graphene layer.

KO G W, SIM S H, HWANG S W, SONE C S

Manufacturing graphene nano ribbon used in electric component, comprises forming grooves and protrusion part by etching mesa on top surface of substrate, forming thin film layer on grooves, and performing reactive ion etching of film layer.

KO G W, SIM S H, HWANG S W, SONE C S

System used in e.g. conductive paint, conductive lacquer and electromagnetic shielding comprises device containing a hybrid composite that comprises tubular carbon and graphene in the form of graphene flake or graphene nano platelets.

NGUYEN K C, HIEU D, KHE N, NGUYEN C K, DINH H

Oxidized graphene sheet dispersion for e.g. nanocarbon materials and flexible transparent conductive film comprises ribbon-shaped oxidized graphene sheet with predetermined variation coefficient of maximal width.

ZAIMA H, WAKABAYASHI K, ARIMA H

Manufacture of graphene transparent electrode for e.g. solar cell, involves providing graphene oxide solution, forming thin metal film on substrate, coating graphene oxide, drying, compressing transparent film layer and etching.

CHEON K U, HEON H G, KIM W C, HUR K H