国家/地区 中国（88） 美国（16） 韩国（15） 世界知识产权组织（8） 日本（5） 欧洲专利局（EPO）（3） 俄罗斯（3） 印度（2）
IPC部 C（122） H（32） B（28）
G（17） D（3）
IPC大类 C23（122） C01（35） H01（31）
B82（13） G01（12） B22（10）
C25（8） C22（6） C08（5）
G02（5） B32（4） C30（4）
B01（2） B05（2） C09（2）
IPC小类 C23C（122）
IPC C23C016/26（122）
发明人 HE P（6） LI C（6） SHIN H（6）
YANG D（6） ZHANG Z（6） BYUN K（5）
BYUN K E（5） CHEN Y（5） LIU Y（5）
SHIN H J（5） SHIN K（5） SHIN K W（5）
FAN T（4） LI X（4） LIU Z（4）
公开年 2020（122）
申请年 2019（61）  2020（44）  2018（17） 
专利权人 CHINA DONGFA.（6） SAMSUNG ELEC.（6） NINGBO INST .（4） UNIV NANKAI（4）
UNIV SHANGHA.（4） AS SIBE KUTA.（3） BEIJING TANR.（3） KOREA ELECTR.（3）
QINGDAO FENG.（3） UNIV TIANJIN.（3） XINJIANG XIJ.（3） APPLIED MATE.（2）
BEIJING GRAP.（2） CALIFORNIA I.（2） CENT ADVANCE.（2） CRRC IND RES.（2）
GLOBAL ENERG.（2） HUNAN ERLING.（2） INST METAL R.（2） KOREA INST S.（2）

Microball complex useful in cathode of lithium secondary battery comprises microballs having three-dimensional carbon nanotube matrix structure, graphene and silicon nanoparticles, and carbon coating layer.

YANG C M, JO A, KIM S Y, RYU J S, LEE M W, MINGOOK K, NA W

Preparing high-conductivity graphene/copper composite wire, comprises electrochemically polishing copper wire, performing coil chemical vapor deposition, and doping using carbon source, reducing gas source and doping source.

LIU Y, YAO S, GUO C, FAN T

Preparing graphene-reinforced copper-based complex material comprises sintering raw materials by hot pressing or spark plasma (SPS) to convert amorphous carbon film into graphene microcrystals.

YANG Y, ZHANG F, XIA L, LI F

Preparing three-dimensional annular cell scaffold for culturing cells, by using chemical vapor deposition to grow graphene on copper/nickel template, or blending conductive material and fiber, or printing conductive hydrogel and/or aerogel.

CHENG G, HAN F, MA X, HAO Y

Preparing polypyrrole nanowire interface modified three-dimensional graphene/polydimethylsiloxane composite photothermal material comprises e.g. cleaning nickel foam, ultrasonicting, washing with deionized water, and drying with nitrogen.

ZHANG B, QIU Y

Providing hydroxylzing graphene, comprises depositing, predefined quantity of graphene on metal foil of predefined thickness, performing, poly(methyl methacrylate) spin coating of graphene to coated graphene and performing, etching of foil.

SINGLA R, KOTTANTHARAYIL A

Preparing graphene film comprises e.g. providing porous material powder, placing material powder in atomic layer deposition device, depositing metal catalytic layer in atomic layer deposition device and depositing metal catalytic layer.

XIA Y, ZHUO E, LI W

Formation of graphene for metal wiring for semiconductor device, involves directly growing graphene on non-catalyst substrate based on injecting reaction gas comprising carbon source having preset ionization energy, into reaction chamber.

SONG H, LEE E, LEE C, KIM C, BYUN K, SHIN K, SHIN H, SONG H J, LEE C S, BYUN K E, SHIN K W, SHIN H J

Device used for producing graphene includes main heating unit, auxiliary heating unit, air supply unit, pressure reducing component, bottom plate, containing space, heating space and cavity body.

ZHANG J

Graphene/metal composite conductor useful as conductor material of transmission line, comprises metal conductor having two sides arranged oppositely, and two side graphene layers.

LIU Y, GUO C, YAO S, FAN T