国家/地区 日本（37）
IPC部 C（37）
IPC大类 H01（37） C01（27） B82（16）
C08（12） C07（7） C23（6）
H05（5） B05（4） B32（4）
G01（4） C09（2） C25（2）
H02（2）
IPC小类 H01L（37） C01B（27） B82Y（15）
C08G（7） H01B（7） C07C（6）
C23C（5） H05B（5） B05D（4）
B32B（4） C08K（4） C08L（4）
G01N（4） B82B（2） C07B（2）
IPC H01L051/00（37）
发明人 MUELLEN K（4） FENG X（3） MULLEN K（3）
SCHWAB M G（3） CHOI S（2） CHUNG H（2）
CHUNG H J（2） FASEL R（2） KURAUCHI K（2）
LEE J（2） LEE J H（2） LEE Y（2）
MILLEN K（2） RUFFIEUX P（2） SAKAI T（2）
公开年 2014（8） 2015（6） 2012（5） 2016（4） 2017（3） 2021（3） 2011（2） 2013（2）
申请年 2013（7）  2015（7）  2014（5）  2010（3）  2011（3）  2012（3）  2009（2）  2016（2）  2019（2） 
专利权人 BASF SE（4） MAX PLANCK G.（4） TOSHIBA KK（4） BASF CHINA C.（3）
FUJITSU LTD（3） SAMSUNG ELEC.（3） TOYO INK SC .（2）

Material for hole transport layer of light emitting device, has deposited film whose potential gradient of surface potential is in specific range.

WATABE T, SEO H, UEDA L, KAWANO Y, TOMOHIRO K A, KITANO Y, DOS T, OHSAWA N, SEO S, TOSU T, KUBODA T, UEDA A, KONO Y, KUBOTA T, TORISU T, OSAWA N

Thermoelectric conversion material used in thermoelectric conversion film of thermoelectric conversion element, contains conductive material and organic semiconductor chosen from carbon material, metal material and conductive polymer.

KURAUCHI K

Material for forming thermoelectric conversion element, comprises electroconductive material(s), and organic polymer compound chosen from carbon material, metal material and conductive polymer having preset weight average molecular weight.

KURAUCHI K

Organic photovoltaic device comprises substrate, first electrode, buffer layer having p-phenylene layer with p-phenylene material, second electrode and photoactive active layer having electron donor material and electron acceptor material.

BARR M C, PANDEY R, LOVE J A, SYKES M E, BARMILES, PANDIRICA, LOVE Z A, MATTHEW P

Graphene nanoribbon used in a semiconductor device which his useful in electronic devices e.g. computers, smartphones, portable telephones and tablet terminals comprises a chiral edge to which an electron-withdrawing group is bonded.

OHTOMO M, OTOMO M

Semiconductor device, has resin material that is provided for covering semiconductor chip which is coupled onto substrate through bump electrode and that is provided for containing resin and graphene particles.

MATSUBARA Y, YOSHIHISA M

Method for forming e.g. drain contacts for e.g. graphene FET, involves forming grown-in graphitic interface layer at interface between source and graphene surface source contacts and drain contact and graphene surface drain contact.

COLOMBO L, VENUGOPAL A

Heterojunction graphene nanoribbon for resonant tunneling diode comprises substrate, and first, second, and third graphene nanoribbon elements.

YAMAGUCHI J

Biosensor e.g. humidity sensor and pH sensor, consists of sensing unit including graphene layer, bridge unit connected to sensing unit, and electrode unit connected to bridge unit.

KIM D, HYEON T, CHOI S, LEE H, CHOI T

Carbon-material composite composition used in e.g. thermoelectric conversion material, comprises carbon material having graphene skeleton, and polyimide and/or its precursor.

MAKINO T, ONO H