国家/地区 美国（75）
IPC部 B（75）
IPC大类 C01（75）
IPC小类 C01B（75）
IPC C30B029/02（53） B82Y040/00（49） C01B031/04（48）
B82Y030/00（40） C01B031/02（28） C23C016/26（24）
C01B032/186（22） C30B025/18（20） C01B032/184（16）
C01B032/182（15） C30B029/64（13） H01L021/02（12）
C01B032/194（11） C23C016/02（11） C30B001/02（11）
发明人 CHOI J（4） JANG B Z（4） VEERASAMY V S（4）
XIE X（4） CHOI J Y（3） DING G（3）
SHIN H（3） VEERASAMY V（3） WANG H（3）
XIONG W（3） YOON S（3） ZHAMU A（3）
AHMED M（2） ARNOLD M S（2） BERRY V（2）
公开年 2013（12） 2012（9） 2011（7） 2014（7） 2016（7） 2021（7） 2015（6） 2017（5） 2009（4） 2018（4） 2022（3） 2010（2）
申请年 2013（12）  2012（10）  2011（9）  2014（6）  2016（6）  2009（5）  2015（5）  2020（5）  2008（4）  2017（4）  2021（4）  2022（2） 
专利权人 GUARDIAN IND.（4） NANOTEK INST.（4） SHANGHAI INS.（4） EMPIRE TECHN.（3）
GUARDIAN GLA.（3） GUARDIAN IND（3） SAMSUNG ELEC.（3） UNIV SINGAPO.（3）
CENT NAT REC.（2） CHINESE ACAD.（2） DING G（2） JANG B Z（2）
LOCKHEED MAR.（2） MAX PLANCK G.（2） MEMC ELECTRO.（2） SAMSUNG TECH.（2）
SUNEDISON SE.（2） UNIV CALIFOR.（2） UNIV GRIFFIT.（2） UNIV KANSAS .（2）

System for realizing formation of high throughput and high yield graphene for use in applications such as batteries, ultra-capacitors and fuel-cells, has gas distribution subsystem for dispensing annealing gas composition to inner side of processing sub-enclosure.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Growing graphene nanoribbon involves depositing aromatic molecular seeds from gas phase onto surface of growth substrate, and growing graphene nanoribbon from aromatic molecular seeds via chemical vapor deposition, where growth substrate is germanium substrate.

JACOBBERGER R M, WAY A J, ARNOLD M S

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S

Manufacturing monocrystalline graphene for display, secondary battery, solar cell, light-emitting device, catalyst and sensor, involves supplying aromatic carbon gas onto single-crystalline metal catalyst to manufacture graphene.

KIM B J, CHOI J, CHOI J Y, JUN K

Formation of two-dimensional silicon carbide used as wide band gap semiconducting material in electronic applications, involves preparing solution comprising silicon carbide particles and solvent, ultrasonically processing solution, and centrifuging to extract two-dimensional silicon carbide.

CHABI S

Sp2-sp3 hybrid crystalline boron nitride has basic structural unit composed of sp2 hybridized graphite-like structural unit and sp3 hybridized diamond-like structural unit, where the two types of units are connected via coherent interface.

ZHAO Z, LUO K, SUN L, LIU B, HU W, HE J, YU D, TIAN Y, XU B, LIU Z, ZHAO Z S, HU W T, HE J L, YU D L, TIAN Y J, LIU Z Y

Formation of porous graphene layer used as semipermeable membrane, involves providing catalytically active substrate comprising copper-nickel alloy substrate, to catalyze graphene formation under chemical vapor deposition conditions.

CHOI K, PARK H G, HEIGHT M, CHOI K J, PARK H, PIAO H

Fabrication of graphene used for electrode of e.g. sandwich-style capacitor, involves providing patterned substrate, depositing graphene oxide on patterned substrate, and reducing graphene oxide to graphene.

CHAICHI A, GARTIA M R

Device for synthesis of graphene has container with space for holding carbon source and entry opening, electrodes for applying electrical current through space for joule heating carbon source, and movement component for moving carbon source.

MANCEVSKI V, VLADIMIR M

Composition used in flexible near infrared photodetector, comprises nanowire.

IYER S, NALAMATI S R K, LI J