国家/地区 台湾（27）
IPC部 C（27）
IPC大类 C01（27）
IPC小类 C01B（27）
IPC C01B031/04（23） C01B031/02（22） B82Y030/00（9）
B82Y040/00（9） C01B032/182（8） H01M004/62（7）
C01B032/15（6） C01B032/18（6） H01L021/02（6）
H01B001/04（5） H01L029/16（5） H01M004/13（5）
H01M004/133（5） C01B031/00（4） C01B032/20（4）
发明人 MUELLEN K（4） FENG X（3） MILLEN K（3）
MULLEN K（3） WU Z（3） KAWABATA A（2）
KUBOTA Y（2） LIU G（2） SCHWAB M G（2）
SCHWAB M G S（2） SUN P（2） TAMAKI E（2）
WU G（2）
公开年 2014（17） 2013（7） 2015（3）
申请年 2013（27）
专利权人 MAX PLANCK G.（5） BASF CHINA C.（4） BASF SE（4） DOKURITSU GY.（4）
NAT INST ADV.（4） ACAD SINICA（2） FUJITSU LTD（2） TORAY ADVANC.（2）
TORAY IND IN.（2）

Graphene-containing electrochemical device, has separator provided between cathode active layer and anode active layer, where graphene sheet of anode active layer has thickness of and planar lateral dimension in specified ranges.

WU M Y, HSIEH C, CHEN J, HSIEH S, XIE S, WU Y, XIE C, HSIEH C Y, CHEN J R, HSIEH S L

Use of amine precursor or its ammonium salt for depositing graphene film on substrate by chemical vapor deposition (CVD).

SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, ITO Y, SCHWAB M G S, MILLEN K

Manufacture of functionalized graphene used for e.g. barrier material, involves forming mixture using graphite oxide, solvent and functionalized compound containing sulfur and amino group, reacting, and recovering resultant graphene.

LEE J S, DO SEUNG H, JEON S Y, HAN G W, KONG J H, DO S H, LEE J, DO S, JEON S, HAN G, KONG J

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Composition, useful for preparing a flat sheet article, comprises graphene nanoplatelets, ceramic fillers, and high temperature fibers.

HARNADEK M, FUKUSHIMA H, NARENDRA J, HARANDEK M

Manufacturing graphene film comprises annealing first substrate in furnace filled with mixed gas, moving substrate into growing chamber of molecular beam epitaxy system, heating carbon source and depositing it on surface of substrate.

LIN S, LIN M, LIN S Y, LIN M Y

Ultrasonic spray coating for producing optically transparent/electrically conductive film involves forming aerosol droplets of graphene material in second liquid, depositing aerosol droplets onto supporting substrate, and removing liquid.

LIN Y, ZHAMU A, JANG B Z, LEE S, LIN J C, LEE S Y, LIN J, JANG B B, LIN Y J, LEE S Y, LIN R, LI X

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z