国家/地区 美国（37） 韩国（30） 日本（21） 世界知识产权组织（19） 中国（18） 欧洲专利局（EPO）（10） 印度（4） 台湾（4） 俄罗斯（3） 巴西（2） 加拿大（2） 西班牙（2） 墨西哥（2）
IPC部 C（54）
IPC大类 C01（54）
IPC小类 C01B（54）
IPC C01B031/02（40） C01B031/04（32） B82Y030/00（20）
H01B001/04（19） B82Y040/00（17） B32B009/00（8）
B82B003/00（8） H01L029/786（8） H01L021/20（7）
C23C016/26（6） H01L029/06（5） H01L029/16（5）
H01M004/583（5） B05D005/12（4） B82B001/00（4）
发明人 CHOI J Y（5） CHOI J（4） HONG B H（4）
AHN J（3） BAE S（3） BAE S K（3）
CHOI B（3） CHOI B L（3） CHOI W（3）
CHOI W M（3） KIM H K（3） KIM J E（3）
LEE E（3） LEE E K（3） SHIN H J（3）
公开年 2011（54）
申请年 2010（54）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（10） UNIV SUNGKYU.（9） UNIV SUNGKYU.（5） GRAPHENE SQU.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） AHN J（2）
BAE S（2） FUJITSU LTD（2） HON HAI PREC.（2） HONG B H（2）
HONGFUJIN PR.（2） KIM H K（2） KOREA ADV IN.（2） SUH K S（2）
UNIV TSINGHU.（2）

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Negative-electrode active material used for lithium ion secondary batteries, comprises short-length cup-stack type carbon nanotube having laminate of two or more cup type graphene sheets and cup type graphene sheets with open bottom.

SHIOZAKI S

Super hydrophobic graphene, has surface part in which multiple cylindrical projections are formed, where one of projections occupies 20 percent of graphene in total body surface area.

CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Method of forming graphene film on silicon carbide substrate for electronic device materials involves planarizing surface of silicon carbide single crystal, washing and annealing in vacuum.

YAMAUCHI K, HATTORI A, ARIMA K, SANO Y

Method for manufacturing graphene, involves preparing basic graphene i.e. pristine graphene, and accelerating argon ions followed by irradiating and accelerating basic graphene ion in basic graphene.

CHAN C H, HAE G J, JIN H H, SEUNG H J, KYUNG H J, HAN N H, YOUNG D K

Nano-electronic switching device comprises graphene patch having diamond shape formed by pair of opposed graphene triangular shapes sharing base and having unreconstructed edges; and further device-interconnecting leads pair of nano-ribbons.

KIOUSSIS N G, AGAPITO L A

Manufacturing graphene film used in manufacturing semiconductor device, involves forming catalyst metal layer containing carbon on substrate, and growing graphene film on formed metal layer using carbon containing gas.

IKEDA M, YAMAZAKI T

Producing graphene nanoribbons, useful in graphene nanoribbon device, comprises heating closed carbon nanostructures, dispersing and agitating obtained nanostructures in organic solvent (1,2-dichloroethane), and recovering the nanoribbons.

DAI H, JIAO L

Method of manufacturing graphene used for electronic device, involves forming graphene directly on germanium layer by supplying carbon-containing gas into chamber in which substrate is located.

LEE E, CHOI B, WHANG D, LEE J, CHOI B L, LEE E K, LEE J H, WHANG D M

Pressure sensor for measuring hydraulic pressures, has transistor equipped with graphene layer as channel, and wire containing piezoelectric material and whose one side is connected on gate of transistor.

YAGISHITA Y